文档介绍：联华电子和Kilopass携手进行28纳米合作联华电子与Kilop~s共同宣布,双方已签署技术开发协议,l(ilopass非挥发性内存IP将于联华电子两个28纳米先进制程平台上提供,分别为:适用于生产便携设备产品系统单芯片的高介电质金属栅 28HPM;以及受消费性电子产品系统单芯片设计公司青睐的多晶硅28HLP制程。联华电子28纳米制程的芯片栅极密度为40纳米制程的两倍。具成本效益的28HLP多晶硅制程, 与业界其他28纳米多晶硅制程相比,具备了更优异的效能及功耗上的提升。为配合系统单芯片设计公司不同的电源需求,此制程提供了多个电压选项: ,。而28HPM高介电质金属栅制程,则提供了临界电压选项、内存储存单元和降频/超频功能,有助于系统单芯片设计公司大幅提高产品整体效能和电池续航力。(来自联华电子) 力旺电子推出全新反熔丝架构嵌入式非挥发性内存技术NeoFuse 力旺电子日前宣布,正式推出全新反熔丝架构之嵌入式非挥发性内存技术NeoFuse,目前NeoFuse 技术已在多家国际级晶圆代工厂的65纳米、55纳米、40纳米与28纳米等低功耗与高压先进工艺通过组件技术验证,预计将于今年Q3通过可靠性验证并在Q4进入量产。延续在NeoBit技术开发的成功经验,N~Fuse技术的推出意味着力旺电子已将其单次可程序嵌人式非挥发性内存技术的布局版图从成熟工艺进一步推展至先进工艺。 N~Fuse为全新反熔丝架构之单次可程序嵌入式非挥发性内存技术,利用编程过程中的阻抗改变(imped~eeeh~ge)实现数据储存功能,并藉由外围电路的巧妙设计使NeoFuseIP具备低功耗、高可靠度与安全保密等特色。NeoFuse技术的特殊组件架构有效地降低工艺变异的影响,使得各内存位的致性大幅提高。(来自力旺电子) “中国宿迁光电产业高峰论坛暨光电产业规划推介会”胜利召开 2013年05月25日,“中国宿迁光电产业高峰论坛暨光电产业规划推介会”在宿迁市湖滨新城星辰、市人民政府代市长王天琦、国家半导体照明工程研发及产业联盟副秘书长彭万华教授、中国科学院半导体研究所副所长陈宏达、国家发改委宏观经济研究院社会发展研究室主任徐振斌、广东省半导体照明产业联合创新中心主任睦世荣、赛迪顾问股份有限公司副