文档介绍：引 言
随着特征尺寸越来越小，在当今的高级微芯片加工过程中，需要6层甚至更多的金属来做连接,各金属之间的绝缘就显得非常重要，所以在芯片制造过程中，淀积可靠的薄膜材料至关重要。
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ULSI硅片上的多层金属化
Figure
钝化层
压点金属
p+ Silicon substrate
Via
ILD-2
ILD-3
ILD-4
ILD-5
M-1
M-2
M-3
M-4
p- Epitaxial layer
p+
ILD-6
LI oxide
STI
n-well
p-well
ILD-1
Poly gate
n+
p+
p+
n+
n+
LI metal
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芯片中的金属层
Photo
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薄膜特性
好的台阶覆盖能力
填充高的深宽比间隙的能力
好的厚度均匀性
高纯度和高密度
受控制的化学剂量
低的膜应力
好的电学特性
对衬底材料或下层膜好的黏附性
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膜对台阶的覆盖
如果淀积的膜在台阶上过渡的变薄，就容易导致高的膜应力、电短路。应力还可能导致衬底发生凸起或凹陷的变形。
共形台阶覆盖
非共形台阶覆盖
均匀厚度
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—制造业—
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高的深宽比间隙 可以用深宽比来描述一个小间隙（如槽或孔），深宽比定义为间隙的深度和宽度的比值。
深宽比 =
深度
宽度
=
2
1
深宽比 =
500 Å
250 Å
500 Å
D
250 Å
W
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高的深宽比间隙
Photograph courtesy of Integrated Circuit Engineering
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制备薄膜的方法之一：
化学汽相淀积（CVD）
(Chemical Vapor Deposition)
通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程。
产生化学变化
反应物必须以气相的形式参加反应
膜中所有材料物质都来源于外部的源
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CVD传输和反应步骤
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