文档介绍：第六章 双极型模拟集成电路
集成化元、器件及其特点
集成差分放大电路
电流模电路
功率输出级电路
集成运算放大器
第二节
第一节
第五节
第四节
第三节
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第一节 集成化元、器件及其特点
一 集成电路工艺简介
以制造NPN管的工艺流程为例
氧化 光刻 隐埋层扩散 外延和氧化 隔离扩散
选择隔离槽
P型硅片
1 平面工艺
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2 电路元件制造工艺
基区扩散 发射区扩散 蒸铝 NPN
选择基区
选择发射区
选择电极
引线窗口
选择要去
除的铝层
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硅片上的管芯
集成电路的封装
(a)双列直插式
(b)圆壳式
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二 集成化元、器件
1 NPN晶体管
在P型硅片衬底上扩散N＋隐埋层，生长N型外延层，扩散P型基区，N ＋型发射区和集电区
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2 PNP晶体管
从隔离槽P＋上引出集电极，载流子沿晶体管断面的垂直方向运动
优点：
制造方便
基区较NPN宽
特征频率高
输出电流大
缺点
由于隔离的需要，C极必须接电路电源最低电位
常作射极跟随器
1)纵向PNP管
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(2)横向PNP管:
发射极和集电极横向排列，载流子沿断面水平运动。
缺点：
由于加工原因，基区宽度比普通NPN大1－2个数量级，很小，特征频率低
优点：
因为由轻掺杂的P型扩散区和N型外延区构成，e结和c1结反向击穿电压高
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3 多发射极管和多集电极管
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4 二极管
晶体管制作时，只要开路或短路某一PN结即得：
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5 电阻:
金属膜电阻:温度特性好
扩散电阻，按结构分：
基区电阻 50－100K ＝±20%
发射区电阻 1－1000 （电阻率低）
窄基区电阻 电阻率高 10－1000K ＝±20%
虽集成化电阻阻值误差大，但为同向偏差，匹配误差小（小于3％）
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