一定可视角的超高亮度蓝光LED.pdf

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《半导体光电》2002 年第 23 卷第 4 期殷宗友等: 一定可视角的超高亮度蓝光 L ED
光电器件
一定可视角的超高亮度蓝光 L ED
殷宗友1 , Densen Cao2 , 杜国同1 , 李正庭1 , 杨树人1
( 1. 吉林大学电子科学与工程学院, 吉林长春 130023 ;
2. CAO GROUP, INC. ,8683 South 700 West Sandy , UT 84070)
摘要: 报道了封装大芯片 In GaN/ GaN 蓝光发光二极管(L ED) 的实验结果。在室温下,正
向电压为 3. 3 V 和电流为 350 mA 时,其轴向亮度为 16 × 104cd/ m2 ,可视角为 98°。
关键词: 蓝光发光二极管; 大面积点光源; 超高亮度; 封装工艺
中图分类号: TN312. 8 文献标识码: A 文章编号: 1001 - 5868 (2002) 04 - 0245 - 02
Blue L ED with Certain Viewangles and Superhigh Brightness
YIN Zong you1 , Densen Cao2 , DU Guo tong1 , L I Zheng ting1 , YAN G Shu ren1
( 1. College of Electronic Science and Engineering ,Jilin University ,Changchun 130023 ,CHN;
2. CAO GROUP, INC. ,8683 South 700 West Sandy , UT 84070 , USA)
Abstract : This paper reports the result of the package of In GaN/ GaN blue L ED with big chips。
At room temperature ,under the forward voltage of 3. 3 V and the forward current of 350 mA ,its axial
brightness reaches 16 × 104 cd/ m2 with the viewangle of 98°.
Key words : blue L ED ; dot illuminant with big areas ; superhigh brightness ; package technology
1 引言极管因点光源面积和亮度小,需要多个组合在一起
才能满足需要,白光半导体灯,更需要大面积的点光
随着半导体科学技术的发展,超高亮度的蓝、特别是为了实现源。鉴于此我们把利用 MOCVD
绿、蓝绿光二极管制作技术取得了重大突破,使得法生长的蓝光 In GaN/ GaN 外延片做成 1 mm × 1
[1 ]
L ED 全彩屏的实现成为可能。随着马路的变宽, mm × 90 μm 的大芯片,并将欧姆接触电极做成梳
越来越需要用于照明的超高亮度和一定可视角的大状,获得了理想的大面积点光源,并设计碗状的封装
面积点光源 L ED。在其它许多实际应用中