一种LDMOS高压运算放大器的设计与实现.pdf

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第 36 卷第 1 期微电子学 Vol 36 , №1
2006 年 2 月 Microelect ronics Feb 2006
一种 LDMOS 高压运算放大器的设计与实现
邓兰萍, 王纪民
(清华大学微电子学研究所, 北京 100084)
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摘要: 使用专门设计的 LDMOS 高压器件,实现了一个具有高压驱动能力( ± 150 V) 和大增益
( > 80 dB) 的 CMOS 运算放大器。模拟结果显示,N 沟道和 P 沟道 LDMOS 晶体管的最大击穿电
压都超过了 320 V ,高压隔离超过 300 V ,从而可以确保其高压放大功能。该运算放大器适用于数
字通信,如程控交换机中的高压驱动电路的单片集成。
关键词: LDMOS ; RESU RF ; 高压; 运算放大器
中图分类号: TN722. 7 + 7 文献标识码: A 文章编号:1004 3365 (2006) 01 0087 03

Design and Implementation of a High Voltage LDMOS Operational Amplif ier
DEN G Lan ping , WAN G Ji min
( Institute of Microelect ronics , Tsinghua Universit y , Bei j ing , 100084 , P. R. China)

Abstract : A CMOS operational amplifier (OPA) is implemented with specifically designed high voltage LDMOS ,
which achieves high voltage driving capability ( ± 150 V) and high gain ( > 80 dB) . Simulation demonstrates that the
maximum breakdown voltages of N and P channel LDMOS are higher than 320 V , and the isolation structure can
withstand the voltage over 300 V , which ensure reliable operation of high voltage amplification. The OPA is suitable
for monolithic integration of high voltage driver circuits in munication , such as programmable switch
board.
Key words : LDMOS ; RESURF ; High voltage ; Operational amplifier
: 1220

大,在较大的输出功率时也能有较高的线性增益。
1 引言 LDMOS 由于自身的电容补