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第 35 卷第 6 期微电子学 Vol 35, № 6
2005年 12月 M icroelectron ics Dec 2005
文章编号: 1004 3365 (2005) 06 0677 03
一种超低功耗放大器的设计
2 樊华, 冯全源
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(西南交通大学微电子研究所, 四川成都 610031)

摘要: 设计了一种集成于电源管理芯片内部的超低功耗运算放大器电路。采用 HSP ICE,对电
路进行模拟仿真,并与传统放大器电路进行了比较。结果表明, 该电路具有超低静态电流和超低
功耗的特点。
关键词: 运算放大器; 低压降; 低功耗; 静态电流
中图分类号: TN722. 7 文献标识码: A

D esign of an Ultra L ow Power Am plif ier
FAN Hua, FENG Quan yuan
( Institute of M icroelectronics, Southw est J iaotong University, Chengdu, S ichuan 610031, P. R. China)

Abstract: An ultra low power operational amp lifier is p resented, which was integrated into a power management chip.
The operational amp lifierwas simulated using H sp ice. parison with the conventional amp lifier shows that the p roposed
amp lifier features ultra low power and ultra low quiescent current.
Key words: Operational amp lifier; Low dropout; Low power; Quiescent current
: 1220

示的放大器, 该放大器的突出优点是增益和
1 引言 PSRR[ 3 ]在低频时都能达到 100 dB 以上。它包括偏
置电路,共源共栅放大器和一个输出级电路。VR EF
电源管理芯片,如 LDO (Low D ropout)线性稳压给运算放大器提供基准电压; VF 是运算放大器的负
器,在各种便携式电子产品和以电池作为动力的系向输入端; VB 为偏置电路的输出, 用于提供放大器
统中得到非常广泛的应用,并不断更新换代。它具的偏置电流。该放大器的静态电流为
[ 1 2 ]
有低成本、低噪声、低功耗等突出优点。 IQAM P = IR EF + IOU T + IM 5 + IM 6 + IM 7 (1)
放大器设计是 LDO芯片设计的关键,其性能在
很大程度上决定了 LDO 的总体性能,如功耗、低电
压,以及是否对工艺偏差不敏感等。设计的放大器
静态电流不超过 0. 7μA,并且采用具有温度补偿的
控制电路,使得放大器具有良好