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MOCVD法制备Mg,xZn,1-xO薄膜及其热稳定性研究.pdf

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MOCVD法制备Mg,xZn,1-xO薄膜及其热稳定性研究.pdf

文档介绍

文档介绍:东北师范大学
硕士学位论文
MOCVD法制备Mg<,x>Zn<,1-x>O薄膜及其热稳定性研究
姓名:王国瑞
申请学位级别:硕士
专业:凝聚态物理
指导教师:徐长山
20090501
。以湎吖獾缱幽芷、湎哐苌淦、縈且恢中滦虸虎鲎蹇斫;衔锇氲继宀牧稀T诩婀薢、材料性能的同时,具有带隙连续可调的特点。这种材料可与黄鹱槌梢熘式帷⒘子阱和超晶格,这不但能极大地提高姆⒐庑剩夷芏圆牧系姆⒐馓匦越调制。随含量不同,翺可偏向某一晶格结构,含量ノA蔷褰构Ц癯J隯接近,杂性黾樱琧略有减小%为立方晶体结构Ц癯J嘟略有减小诙咧湮;旌舷唷本文使用椒ǎ肗魑J湓私橹试贏衬底上生长了一系气氛中进行快速热退火,研究其结构和光学性质的热稳定性。实验表明:获得的。畑∧ぜ词乖诮细叩腗肯氯砸韵诵靠蠼峁刮V鳌当的百分含量超过%时,《∧さ慕峁故遣晃榷ǖ模菀追⑸较嗪立方相的分离。的掺入具有带隙调制的作用,能够引起吸收边和光致发光峰的位置向高能侧移动,在含量较高时,其发光由导带底的局域发光中心控制,发光峰受局域态能量和缺陷态能量双重影响。:在温度低于媸保浠幻飨浴℃以上时,可以观察到立方相的藕牛蘸头⒐夤馄字な盗窍嗟腗翺逐渐减少,。退火温度达到媸保庵窒窒蟊得更为明显,大量的立方相畑擦肆窍嗟腗畑纬闪艘晃嗔孔于结构,同时产生了大量的缺陷。对嫱嘶鹧方斜湮虏馐裕隽薓《发光机制。关键词:畑籑;热稳定性;快速退火;六角相;立方相。吸收光谱、光致发光光谱为表征手段,研究了不同含量对畑∧さ慕峁剐质和光学性质的影响。并选择高含量的较啾∧ぴ.℃
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学位论文作者签名:圣垦掌冢憾指导教师签名:主至坦电话:——邮编:——学位论文作者签名:垂区期::至塑望:』独创性声明学位论文使用授权书本人郑重声明:所提交的学位论文是本人在导师指导下独立进行研究工作所取得的成果。据我所知,除了特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果。对本人的研究做出重要贡献的个人和集体,均已在文中作了明确的说明。本声明的法律结果由本人承担。本学位论文作者完全了解东北师范大学有关保留、使用学位论文的规定,即:东北师范大学有权保留并向国家有关部门或机构送交学位论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅。本人授权东北师范大学可以采用影印、缩印或其它复制手段保存、汇编本学位论文。同意将本学位论文收录到《中国优秀博硕士学位论文全文数据库》泄跗诳光盘版缱釉又旧、《中国学位论文全文数据库》泄蒲Ъ术信息研究所仁菘庵校⒁缘缱映霭嫖镄问匠霭娣⑿泻吞峁┬畔⒎瘛C艿难宦畚脑诮饷芎笫视帽臼谌ㄊ工作单位:通讯地址:日学位论文作者毕业后去向:.
第一章言引弟一早用于信息存储的激光器件的发展历史公司首先在液氮温区实现了.Ⅵ族基量子阱激光器的脉冲工作,在国际上引起轰O拗撇愕腎鲎謇堵碳す馄魇椅铝ぷ魇倜锏絣时。但是基东北师范大学硕士学位论文信息技术的迅猛发展,使得以光电子和微电子为基础的通信和网络技术不仅成为高新技术领域的核心,也极大的改变了人们的生活与工作方式。信息时代已经到来,与信息的传输与存储相关的研究成为当今科技领域的重要研究内容。我们知道,半导体激光器作为信息技术的关键部件使光纤通信得以普及,导致以光盘为主的信息存储技术不断更新换代。对于光盘存储技术,光盘的信息存储密度反比于聚焦后的激光束的直径的平方,而该直径又正比于激光的波长。因此,为提高光信息的存储密度,应使用尽可能短波长的激光器。近年来,短波长激光二极管、激光器及其相关器件由于具有更高的存储密度和更快的读写速度,已成为信息领域中半导体激光器件研究的一个热点。第一代半导体激光器是波长为的半导体激光器;第二代是波长的甐族化合物疘半导体激光器,使得光盘存储密度大大增加;第三代以4淼目斫豆獍氲继寮す馄髡谥鸾ト〈鶤/氲继寮す器,使光盘信息存储密度进一步增加。半导体激光器的每一步发展都极大的促进了信息技术的发展。当前豆獍氲继寮す馄髡谥鸩阶呦蛏唐坊T缭昝拦动。以后美国的大学联合研究组、荷兰竞腿毡維镜认后实现了该类激光器的室温连续工作,到年时公司以/为量子阱,激光器的发展速度并不象人们预期的那样迅速,其工作寿命从一小时提高到一百小时整整用了五年的时间,而迸一步的提高,难度更大。其主要原因在于是一种离子性很强的晶体,它很软,极易产生损伤,在受激发射时,容易因温度的升高引起缺陷的大量增殖。材料这种固有的缺陷使得人们认识到它在制备蓝绿激光器方面收到很大限制。年以来,日本科学家中村修二贕以及相关宓;锖辖的研究中取得重大进展,制备出了室温下连续

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