1 / 36
文档名称:

实验三RLC串联电路频率特性.ppt

格式:ppt   大小:194KB   页数:36页
下载后只包含 1 个 PPT 格式的文档,没有任何的图纸或源代码,查看文件列表

如果您已付费下载过本站文档,您可以点这里二次下载

分享

预览

实验三RLC串联电路频率特性.ppt

上传人:sanshenglu2 2021/3/8 文件大小:194 KB

下载得到文件列表

实验三RLC串联电路频率特性.ppt

文档介绍

文档介绍:第6章
存储器及
实验三RLC串联电路频率特性
存储器系统
计算机的存储器管理体系采用的是一种层次结构,它的最顶层的、与CPU联系最密切的存储部件是微处理器内部的寄存器。然后,就是一级高速缓冲存储器L1,二级高速缓冲存储器L2。接下来的就是微处理器必须配置的主存储器,它们都是微机系统的内部存储器。再下一个层次的存储器就是外部存储器,通常是硬盘、光盘等,如图
CPU
寄存器组
一级
Cache
二级
Cache
主存储器
外部
存储器
实验三RLC串联电路频率特性
所谓存储管理,其实是一个硬件机制,由于它的存在可以让操作系统为众多运行的程序创造一个便于管理的和谐的存储环境。
通过微处理器的总线访问的存储器叫做物理存储器。它是由一系列的(由8位二进制的)字节组成的,而且给每一个字节都分配了一个惟一地址,把这种地址称之为物理地址。像Pentium可访问的物理存储器的范围为4GB(232 –1)。
Pentium微处理器片内存储管理部件负责对物理存储器实施安全可靠且行之有效的存储管理操作。
实验三RLC串联电路频率特性
半导体存储器
1. 内存储器
内存储器是指微机系统中存放程序和数据的部件,是CPU能直接进行存取操作的部件,它是由一组或多组具有数据存储功能、以及能进行读写操作的大规模集成电路组成。内存储器条。
2. 随机存取存储器RAM
RAM是一种既能读出也能写入的存储器,它适合于存放用户程序和数据,因为这类信息是经常变化的
实验三RLC串联电路频率特性
RAM有3个特点
① 可以读出,也可以写入。读出时并不损坏所存储的内容。只有在写入时才修改原来所存储的内容。
② 所谓随机存取,意味着存取任一单元所需的时间相同。因为存储单元排成二维阵列。就象通过X、Y两个坐标就能确定一个点那样。
③ 当断电后,存储的内容立即消失,又称为NOVRAM( Nonvolatile RAM )或NVRAM。
实验三RLC串联电路频率特性
RAM的分类
在RAM中,又被分为双极性RAM、和MOS RAM这样两大类。
(1)双极性RAM
(2) MOS RAM
① SRAM (Static RAM,静态随机存储器)
SRAM的运行速度非常快,像CPU内的一级、二级缓冲存储器就使用了SRAM,其运行频率与CPU的时钟同步。SRAM高速度的特点,对提高系统性能非常有利,但价格较贵。
② DRAM(Dynamic RAM,动态随机存储器)
实验三RLC串联电路频率特性
3.只读存储器(Read Only Memory)
常用的只读存储器又分成以下几类:
(1) ROM:一般由生产厂家把编好的程序固化在ROM中。
(2) PROM:是可编程只读存储器(Programmable Read Only Memory), 它与ROM的性能一样。存储的程序在处理过程不会丢失,也不会被替换。
(3)EPROM:可擦除的ROM。这是一种可由用户编程并可擦除的ROM。存放在EPROM中的信息可以擦除,然后再写入,且能多次改写其中的内容,只是写入速度较慢。
(4)EEPROM:电可擦除可重写只读存储器(或E2PROM)。也叫“电擦除可编程只读存储器EEPROM” 、或被称之为EAROM,是电可擦除PROM、或电可改写ROM。。
(5)闪速存储器(Flash Memory)
闪速存储器是一种特殊类型的EEPROM类的存储器,是目前较理想的一类存储器,具有密度高、读/写速度快、成本低和不易丢失的特点。Flash的主要优点是:
① 不易丢失性: 相比于SRAM,Flash不需后备电源来保持信息。
② 易更新性:与EEPROM相比,Flash的成本更低,密度和可靠性更高。
实验三RLC串联电路频率特性
4.内存储器条
内存储器条是微机系统用来存放程序和数据的实际存储器,主要有两种类型:
(1)第一种是单边直插式存储器模块SIMM(Single Inline Memory Module),早期的30线、72线的内存储器条属于这种类型。
72线内存储器条多用在80486、早期的Pentium微处理器上,其容量有4MB、8MB、16MB和32MB等,可提供32位有效数据位。
(2