文档介绍：DLAS技术原理培训
市场部-许鹏
产品基本情况
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吸收光谱技术
吸收光谱技术
半导体激光吸收光谱（DLAS）技术
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吸收光谱技术
E1
E2
光子
能级跃迁
能级的概念
E2 - E1 = hn
分子能量表现
旋转
振动
电子跃迁
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分子光谱
每两个能级对应一根吸收谱线
在低分辨率光谱上表现为谱带
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浓度测量公式
透过率曲线
测量基本公式
吸收率absorbance
关键因素Ｘ＝F(Absorbance,T,P,L)
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公式说明
在波长一定的情况下，S线强由两方面因素决定：
① 分子跃迁上，下能级的波函数
—由分子结构等性质决定
② 分子的集居（Population)
—与温度相关
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公式说明
线 型 函 数 Φ
产生原因：测不准原理
影响因素：温度/压力
归一性：面积不变
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DLAS技术
DLAS——Diode Laser Absorption Spectroscopy
半导体激光吸收光谱
与传统吸收光谱相似，基于受激吸收效应并遵循Beer – Lambert公式
采用半导体激光器为光源，并可采用调制吸收光谱技术（TDLAS）
发展历史：
上世纪六十年代，激光器发明
上世纪七、八十年代，激光吸收光谱技术逐步应用于科学实验的精密测量
上世纪九十年代，半导体激光器和光纤元件大规模商用化
上世纪九十年代，欧美国家开始DLAS技术产业化研究
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DLAS技术
使用半导体激光器作为光源
单***好，即光的波长宽度窄。<，传统红外光源一般在20-30nm左右
可调制扫描
绝大部分光属于红外区域，
波长范围750-2000nm左右。
激光波长范围
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