文档介绍：电工电子技术本文由 caicai040 贡献 ppt 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT ,或下载源文件到本机查看。电工电子技术第二讲 2006 年7月8日 1 模拟电子技术: 模拟电子技术: 二极管、稳压管原理及典型应用电路;? 二极管、稳压管原理及典型应用电路; 三极管结构、原理及单管电压放大电路; ? 三极管结构、原理及单管电压放大电路; 集成运算放大器原理及应用。? 集成运算放大器原理及应用。数字电子技术: 数字电子技术: 数字电路的基础知识; 数字电路的基础知识; 基本的逻辑门电路与组合逻辑电路; ? 基本的逻辑门电路与组合逻辑电路; 触发器与时序逻辑电路。? 触发器与时序逻辑电路。 2 二极管、第七节二极管、稳压管 1 半导体的单向导电特性及 PN结 PN结2 半导体二极管 3稳压二极管要求: 要求: 1. 理解 PN 结的单向导电性; 理解 PN结的单向导电性结的单向导电性; 2. 了解二极管、稳压管的基本结构、工作原理了解二极管、稳压管的基本结构、和特性曲线, 理解主要参数的意义; 和特性曲线,理解主要参数的意义; 3. 会分析含有二极管的电路。会分析含有二极管的电路。 3 一、 PN 结的单向导电性 PN 结的单向导电性 PN 结正向偏置: P 区加正电压、结正向偏置: 区加正电压区加正电压、结正向偏置 N 区加负电压区加负电压变薄--++++ 内电场 4 内电场被削弱, 内电场被削弱, 多子的扩散加强能够形成较大的扩散电流。扩散电流。+P 外电场-- N_ PN 结反向偏置区加负电压、结反向偏置 P 区加负电压结反向偏置区加负电压、 N 区加正电压区加正电压变厚-++++ 内电场内电场被被加强, 内电场被被加强, 多子的扩散受抑制。多子的扩散受抑制。少子漂移加强, 少子漂移加强,但少子数量有限, 少子数量有限,只能形成较小的反向电流。电流。_P--- 外电场 N+5二半导体二极管①、结构:在 PN 结上加上引线和封装, 就成为一个二极管。二极管按结构分为点接触型、面接触型和平面型。例如: 例如:点接触型二极管二极管符号 62 、伏安特性和主要参数 i D 开启电压 U⑴. 开启电压 Uon u IF 工作电压 UD: 硅管 ~1V, 硅管锗管 ~ 。⑶. 反向击穿电压 UBR 锗管。反向击穿电压 U D 最大整流电流 I⑵. 最大整流电流 IF 开启电压 U 开启电压 Uon 硅管 , 锗管硅管锗管 。。反向击穿电压 U(BR) uD IS 最大反向工作电压 U⑷. 最大反向工作电压 UR ⑸. 反向饱和电流 IS 7 二极管电路分析举例分析方法:将二极管断开, 分析方法:将二极管断开,分析二极管两端电位的高低或所加电压 U 的正负。的高低或所加电压 UD 的正负。若V阳>V 阴或 UD 为正( 正向偏置), 二极管导通为正(若V阳<V 阴或 UD 为负( 反向偏置) ,二极管截止为负( 正向管压降硅 ~ .2~ 锗 ~ 若二极管是理想的,导通时正向管压降为零, 若二极管是理想的, 导通时正向管压降为零, 截止时二极管相当于断开, 电流为零。时二极管相当于断开, 电流为零。 8 2005 、 107. 半导体二极管的正向伏安(V-A) 特性是一条: (A) 过坐标轴零点的直线(B). 过坐标轴零点 I随U按指数规律变化的曲钱(C). 正向电压超过某一数值后才有电流的直线(D). 正向电压超过某一数值后 I随U 按指数规律变化的曲钱 9例1:: 6V D 3k? ? 12V –B+A 电路如图,求: UAB 电路如图, 取B 点作参考点,断点作参考点, 开二极管, 开二极管, 分析二极管阳极和阴极的电位。阳极和阴极的电位。 UAB V阳=-6VV阴=- 12VV阳>V阴二极管导通若忽略管压降, 二极管可看作短路, 若忽略管压降, 二极管可看作短路, UAB =- 6V 在这里,二极管起钳位作用。在这里,二极管起钳位作用。 10 11 12 例2: + ui– RD 8V+ uo–已知: ui= 18sin ωtV 已知: 二极管是理想的, 二极管是理想的,试画出 uo 波形。波形。二极管阴极电位为 8V ui 18V 8V 参考点ωt ui> 8V ,二极管导通,可看作短路 8V ,二极管导通, uo= 8V ui< 8V ,二极管截止,可看作开路 8V ,二极管截止, uo= ui 13 三、稳压二极管: 稳压二极管: + UZU 稳压误差主要参数 1、稳定电压 UZ2、稳定电流 IZ、最大、稳定电流 I 最大、最小稳定电流 Izmax 、 Izmian 。3 、最大允许功耗 I 曲线越陡, 曲线越陡, 电压越