文档介绍：电子技术总复****br/>一、 填空
1．P 型半导体中的多数载流子是（空穴） ；N 型半导体中的多数载流子是（自由电子） 。
2．半导体二极管有硅管和锗管之分。硅二极管的正向导通电压为
）~（） V ，死区电压为（ ） V ；锗二极管的正向导通电压为（ ）~（）V ，死区电压为（ ）V 。
3．半导体二极管具有单向导电性。加（正）向电压时导通；加（反）
向电压时截至。硅二极管的正向导通电压为（ ）~（）V ；锗二极管的正向导通电压为（ ）~（）V 。
4．某稳压管的稳定电压 UZ=5V ，最大耗散功率 PZM =100mW ，则其最大稳电流 I ZM =（ 20） mA 。
5．某稳压管的稳定电压 UZ=6V ，最大稳定电流 I ZM =20mA，则其最
大耗散功率 PZM =（ 120）mW 。
6．晶体管有（集电
）极、（
基
）极和（ 发射
）极三个电极，
分别用字母（
C ）、（ B ）和（ E
）表示。
7．晶体管的输出特性曲线可分为（
放大 ）区、（
截止
）区
和（
饱和 ）区。晶体管处于放大区的条件是发射结（
正 ）向偏
置，集电结（
反
）向偏置。
8．电子电路中的晶体管有放大、饱和截至三种工作状态。测得某电子电路中﹝ a﹞、﹝ b﹞、﹝ c﹞三个晶体管各极的电位如图所示。则晶体管﹝ a﹞工作于（饱和）状态，晶体管﹝ b﹞工作于（截止）状态，晶体管﹝ c﹞工作于（放大）状态。
9．放大电路如图﹝ a﹞所示，其晶体管的输出特性及放大电路的交、
直流负载线如图﹝ b﹞所示，图中 Q 为静态工作点。则晶体管 β=（50），
静态 I C=（2mA ）， UCE =5V ，电阻 RB≈（ 250kΩ ），RC=（ ），最大
不失真输出电压 Uom=（3V）。
10．理想运算放大器的理想化条件是 Auo→（∞ ），rid→（∞ ），
rod→（ 0 ）， KCMRR →（
∞）。
11．负反馈放大电路有（串联电压
）负反馈、（
串联电
流
）负反馈、（
并联电压
）负反馈和（
并联电
流
）负反馈四种类型。
12．正弦波振荡电路产生自激振荡的条件是： （ 1）（相位
）条件，
即必须是（
正 ）反馈；（2）（幅度
）条件，即Au F
（
1 ）。
13．在单相半波整流电路中，设整流变压器副边电压有效值为 10V ，
则整流电压的平均为（ ） V ，二极管承受的最大反相电压为
）V ，若负载电流平均值为 2A，则流过二极管的电流平均值为
）A。
14．设整流变压器副边电压有效值为 U。单相半波整流电路整流电压
的平均值为（ ） U，二极管承受的最大反相电压为（ √2 ）U ；
单相全波整流电路整流电压的平均值为（ ） U，二极管承受的最
大反相电压为（ 2 √2 ）U；单相桥式整流电路整流电压的平均值为
（ ） U，二极管承受的最大反相电压为（ √2 ）U。157 页
15．在图 （a）的串联型稳压电路中，已知 UZ=5V ，晶体管 T 的 UBE = ，则 UO=（ ）V 。在图 （ b）的串联型稳压电路中，
已知 UZ =5V ，UXX =5V ，则 UO=（ 10） V 。
16．有 0 出 1，全 1 出 0 是（ 与非 ）门的逻辑特点。
17．将逻辑式 Y A AB 化简后的结果为 Y=（ A ）。
18．将十进制数（ 27）10 转换为二进制数为（ 11011 ）。
19．在决定一件事情的条件中， 全部条件满足结果才发生的逻辑关系
称为（ 与门 ）逻辑。
20．在决定一件事情的条件中， 只要有一个条件满足结果就发生的逻辑关系称为（ 或门 ）逻辑。
21．测得某逻辑电路的输入变量 A、B 和输出变量 Y 的波形如图 所示，则 Y=（ AB ）。