文档介绍：第六章技术磁化基本原理 1、三种磁化过程?? i iisVM M? cos 退磁态 , 在外加磁场下, 磁化强度改变为 0?M HM??????????? i siii iisi iisHM VVMVMM??? cos cos cos ?V i , 畴壁位移 DWD, ? cos ? i , 磁畴转动 DR, ?M S , 内禀磁化, 饱和磁化强度的增加, 6 -1磁化过程, 磁化曲线及磁滞回线 2、可逆及不可逆磁化初始磁化曲线磁滞回线*可逆过程, RP 较小的磁场变化也会产生较大的非连续的变化, Barkhausen 跳跃. 磁场有变化时有滞后效应, 主要在磁化曲线及磁滞回线的陡峻部分. M? H??随着外场?H的变化,?M ? H, ?M也变化很小并且是可逆的. 主要在磁化曲线的初始部分及膝点以上部分. *不可逆过程, IRP, 导致回线. r rii irr????????????? max ,,χΔ: 微增磁化率;r : 可逆; i : 初始; ir:不可逆. 3、磁化曲线及磁滞回线的基本特点 HM?(1)曲线 a、初始部分. 主要为 RDWD 和 RDR. b、陡峻部分. IRDWD ( 多畴) 为主; IRDR ( 单畴). c、膝点以上. 主要为 RDR . d、高场, . SM?(2)磁滞回线 a、小回线和最大回线 b. 回线中不同部分的三种磁化过程. 6 -2可逆及不可逆磁化过程 1、可逆及不可逆 DWD (1)平衡条件和 RDWD H=0 时,畴壁按总自由能最低分布. 时, 畴壁位移到总自由能最小的平衡位置. 0?H min. UU iH?????? 0EEUU iH iH????? dV ??.???? dV E dV E or i H?? M K ex iEEEEEE Generally ???????, a、等效外压力一畴壁在外场 H下处于平衡状态下的畴壁元面积, 设有一从 j到k的虚位移, 导致在体积元中的磁化方向变化及外场作用能变化 jkS? x?,xSv jk jk???? jkjksHv HM U????) cos (cos ??) cos (cos kjs jk H e HM UP?????????对180 °畴壁, 令???????? kj,? cos 2 se HM P?正的 P e方向为从 j指向 k . b、 DWD 的内部阻滞力 jk jk iUP ????? DWD 导致在内M s从一个易轴方向 k转到另一个易轴方向 , ; 在实际晶体中, 由于缺陷导致波动, 使得. 为畴壁位置的函数. jk ??0? iP0? iP jkUc、畴壁平衡方程 iePP?? eP为减小磁场作用能 U H, 是畴壁位移发生的驱动力随H变化, 畴壁的平衡位置发生变化, 导致 RDWD 及磁化变化. jkU