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文档介绍

文档介绍:模拟电子技术基础 ***出版物社 主编 沈任元
部分****题参考答案
第二章 半导体二极管及其基本应用电路思考题与****题解答
2-1填空题
1. _半导体、绝缘体_2. _杂敏 、 光敏__ 、 _热敏__。3. _导通_ 、 _截止 、 单向导电性_。
4. __高于_。5. _正向_ 、 、__最大整流电流__、_最高反向工作电压。7. _单向导电__ 8. _面接触型 、 点接触型_。_点接触型的 、 平面型的_。9. _零__、_无穷大_, _理想的开关_。10. _反向特性区_、 _几乎不变_。11. _左移__ 、 _下移_。12. _减小_ 、 _减小_, _增加_。13. __将交流电压转变成直流电压__、 __二极管_。14. _脉动的直流电压变成平滑的直流电压_ 、 _储能_。15. _单相半波整流_、_单相桥式整流_。16. _电路烧毁_, _变成单相半波整流_。
2-2 选择题
1. C 2. B 3. C 5. A 6. B 7. A 8. A 11. B
2-3 判断题
1.√ 2.√ 3.× 4. × 5.√ 6.×
2-4 解:,,,,,。
2-5 解:VD截止,,VD导通,,VD1、VD4导通,VD2、VD3截止,

2-6 解:
2-8 解:1) ,,。2),。
2-11解:1)
2);3);
4);5),相当于半波整流滤波(有电容)。
或,相当于半波整流滤波(无电容)。
2-12 解:
第三章 双极型晶体管及其放大电路思考题与****题
3-1 填空题
1. ___PNP___和___NPN__。2. __两__ __双极__ ,___集电__。4. __100___,___120___。5. , ___49___。6. ___放大__ 。7. __饱和___。___正向__, ___正向___。8. __集电__, __发射__,__基极__, __发射___, __。9. __发射__,__集电__, ___-。10. __PNP___, ___锗___。
11. __增加__, __增加__, __减小__。12 __左__, __上___, __大__。
13. 查阅电阻器件手册,了解下列常用晶体管的极限参数,并填写在表3-5中。
型 号
类 型
材 料
低频
大功率管
3AD50C
PNP
Ge
10000
3000
30
3CD030E
PNP
Si
30000
1500
120
高频
3DG100A
NPN
Si
100
20
20
小功率管
3DG130A
NPN
Si
700
300
30
14. __100__。15. __交、直流__, __交流__。16. __截止___, __顶部__, __小__。17. _饱和__, __底部__, __大__。18. __温度升高__。19. __共射__, __共集和共基__。20. __共基__, __共集___, __共射_。21. _稳定静态工作点_。22. _阻容耦合_、__直接耦合__、__变压器耦合__。23. _直流__, _交流_。24. __大__, __窄__。
3-2 选择题
1. A 3. A 4. D 5. B 6. C 7. B 8. A 9. A 10. C 11. B 12. C 13. B 14. D 15. A 16. A 17. C 18. C 19. B 20. A 21. B 22. A B C 23. A 24. B 25. C 26. B 27. A
3-3 判断题
1.× 2.× 3× 4.√ 5. × 6.√ 7.× 8.× 9.× 10. √ 11.× 12.×
3-4
解:1)a)、d)是NPN型,b)、c)、e)是PNP型; 2)a)、c)、d)是硅管,b)、e)是P锗管;
3)a)、b)是放大状态,d)是饱和状态,e)是截止状态,c)是已经损坏,b、e极开路。
3-5
解:(a)不能。因为输入信号被短路, (b)可能。
(c)不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。 (d)不能。因为输出信号被短路,恒为零。
3-6
解:图(a) , ,
图(b)和图(c) ,, 。
图(d) ,, , ,饱和状态。
图(e) ,,,,
3-7
解:图(a)的输出波形说明输出电压的正半周导致失真,其原因是静态工作点偏低所引起的失真,是截止失真,解决办法是将静态工作