文档介绍：第三章作业答案 的列线图,求出由具有 1000 Ω*CM 电阻率的 N型硅制造的一个结型半导体探测器中产生 厚耗尽深度所需要的偏压。解: 教材 P161 =100um ,连接电阻率与灵敏区厚度两个点的连线,延长线交偏压于 35V 所对应的点。即偏压为 35V 。 , 241Am刻度源的主要α射线峰中心位于多道分析器的 461 道。然后改变几何条件,使α粒子偏离法线 35 0角入射,此时,峰位移到 449 道,试求死层厚度(以α粒子粒子能量损失表示)。解: 教材 P162 当能量为损失 E 0的?粒子垂直入射时当?=0时,设?粒子在探测器死层内的能量为? E 1则探测器灵敏体积得到的能量为( E 0-? E 1)?谱峰位在 461 道当?=35 0时,死层内能量损失为? E 2=1255 ?= ? E 1 探测器灵敏体积得到的能量为( E 0-? E 2)= E 0- ? E 1?谱峰位 449 道则?粒子两个角度入射探测器灵敏体积分别得到的能量的差为? E=461 -449 =( E 0-? E 1)-( E 0-? E 2) 12=E 0-? E 1-E 0+ ? E 1= ? E 1所以? E 1=1255 ?(道) ( 补充: 由手册可查, 241 Am 刻度源的主要?射线能量 MeV E485 .5??,设G 每道所对应的能量,那么 11485 .5461 EEEG???????12220 .1485 .5449 EEEG???????解可得 MeV E580 .0 1??) : (a)5MeV 入射?粒子,探测器的耗尽深度大于?粒子的射程。(b)5MeV ?粒子,探测器的耗尽深度为?粒子射程之半。(c)情况同(a),但5MeV ?粒子已经经过一块吸收体,其厚度等于该物质中?射程的一半。解:(何为微分脉冲幅度谱?即通常所说的能谱曲线。利用脉冲幅度甄别器, 表征某一能量对应的计数) 根据射程方程 R?=? 10 -4A?( + ?)E? 3/2 (a)相应?能谱峰位能量 E ?=5Mev (c)当 E ?=5Mev 时R oa= ×E? 3/2? R?? ? 10 -4×A?×? 3/2 R?=? 10 -4×A?×( + ?)E? 3/2 可求出: E ??= (可利用“数学”软件求出结果) (先经过 12 R?厚物质后,穿过探测器内的?粒子能量'E ?由 3212 R E ? ??得 2 3 3 3 ' ' 3 2 2 2 1 1 5 () 2 2 E E E MeV ? ? ?