文档介绍：微电子技术及其应用本文由 apqd 贡献 ppt 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT ,或下载源文件到本机查看。微电子技术及其在当今社会中的应用微电子和微电子技术半导体材料与半导体集成电路工艺技术微电子技术发展及现状微电子技术应用和作用微电子和微电子技术微电子微型的电子电路微电子技术微型电子电路技术半导体材料和半导体集成电路半导体及其基本特性当半导体中的杂质含量很高时,电导率很高, 呈现一定的金属性; 纯净半导体在低温下的电导率很低, 呈现出绝缘性. 半导体材料和半导体集成电路集成电路中的基本元件结构阴极 N 阳极 P 集电极基极发射极 NP N+ 源极栅极漏极 N+ 金属 N+ P 型衬底阱 PN 结二极管 P 型衬底 NPN 晶体管 P 型衬底 P型 nMOS 晶体管半导体集成电路工艺技术双极集成电路工艺***注入 SiO2 p_si 衬底 SiO2 (a) 埋层制备半导体和半导体集成电路双极集成电路工艺 N 外延层 P 衬底 N+ 埋层(b) 外延层制备半导体集成电路工艺技术双极集成电路工艺光致抗蚀剂钝化层 N 外延层 N+ P (c) 隔离区窗口制备半导体和半导体集成电路双极集成电路工艺沟道隔断区硼离子注入 N N+PN (d) 氧化物隔离区制备(1) 半导体集成电路工艺技术双极集成电路工艺 N P+ N+PN SiO2 P+ 沟道隔断区(e) 氧化物隔离区制备(2) 半导体集成电路工艺技术双极集成电路工艺基区硼离子注入光致抗蚀剂 SiO2 P+ N+ 埋层 NP 基区(f) 基区制备半导体集成电路工艺技术双极集成电路工艺光致抗蚀剂 SiO2 … P+ N+ 埋层(g) 基区引线孔制备半导体集成电路工艺技术双极集成电路工艺***离子注入发射区基区集电区埋层 N+ 集电区(h) 发射区制备半导体集成电路工艺技术集成电路工艺技术主要包括: 1, 原始硅片工艺硅单晶拉制到最终形成作为IC 衬底和有源区的硅片的一整套工艺技术. 2, 掺杂工艺包括各种扩散掺杂和离子注入掺杂技术. 半导体集成电路工艺技术集成电路工艺技术主要包括: 3, 微细图形加工工艺包括图形的复印和刻蚀转移两个方面. 4, 介质薄膜工艺包括各种热生长技术和各种 CVD 技术. 5, 金属薄膜工艺包括真空蒸发技术, 溅射技术和 CVD 技术. 微电子技术发展及现状 1948 年 BELL 实验室发明第一只晶体管——微电子技术第一个里程碑; 1959 年硅平面工艺的发展和集成电路的发明——微电子技术第二个里程碑; 1971 年微机的问世——微电子技术第三个里程碑. 微电子技术发展及现状大规模集成电路的集成度是微电子技术的重要标志; 摩尔定律:18 个月集成度翻一番; 集成电路的制造技术已经从 1m, 发展到了今天的 m,0.