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文档介绍

文档介绍:第五章详细设计

模块描述
本模块主要是完成单片机的最小系统设计,用来使单片机能正常工作,由电源电路、 晶振电路、复位电路、单片机组成。
单片机元件介绍
晶振电路:单片机内部有一个高增益、反相放大器,其输入端为芯片引脚 XTAL1,
其输出端为引脚XTAL2其中XYAL1接外部晶体的一个引脚,在单片机内部,它是一 个反向放大器的输入端。若采用外部振荡器,该引脚接收振荡器的信号,即八次信号 直接接到内部时钟发生器的输入端;XTAL2节外部晶体的另一端,在单片机内部接到 反向放大器的输入端,当采用外接晶体振荡器时,此引脚可以不接。
复位电路:复位操作有两种基本形式:一种是上电复位,另一种是按键复位。按 键复位具有上电复位功能外,若要复位,只要按图中的RESE敬,电源VCg电阻R1、 R2分压,在RESE唏产生一个复位高电平。上电复位电路要求接通电源后,通过外部 电容充电来实现单片机自动复位操作。 上电瞬间RESE可脚获得高电平,随着电容的 充电,RERS刊脚的高电平将逐渐下降。RERSTH脚的高电平只要能保持足够的时间
(2个机器周期),单片机就可以进行复位操作。
单片机:各引脚功能说明
VCC供电电压。
GND接地。
P0 口: P0 口为一个8位漏级开路双向I/O 口,每脚可吸收8TTL门流。当P1 口 的管脚第一次写1时,被定义为高阻输入。P0能够用于外部程序数据存储器,它可以 被定义为数据/地址的第八位。在FIASH编程时,P0 口作为原码输入口,当FIASH进 行。校验时,P0输出原码,此时P0外部必须被拉高。
P1 口: P1 口是一个内部提供上拉电阻的8位双向I/O 口,P1 口缓冲器能接收输 出4TTL门电流。P1 口管脚写入1后,被内部上拉为高,可用作输入,P1 口被外部下 拉为低电平时,将输出电流,这是由于内部上拉的缘故。在 FLASH®程和校验时,P1
口作为第八位地址接收。
P2 口: P2 口为一个内部上拉电阻的8位双向I/O 口,P2 口缓冲器可接收,输出
4个TTL门电流,当P2 口被写“1”时,其管脚被内部上拉电阻拉高,且作为输入。 并因此作为输入时,P2口的管脚被外部拉低,将输出电流。这是由丁内部上拉的缘故。 P2 口当用丁外部程序存储器或16位地址外部数据存储器进行存取时,P2 口输出地址 的高八位。在给出地址“ 1”时,它利用内部上拉优势,当对外部八位地址数据存储 器进行读写时,P2 口输出其特殊功能寄存器的内容。P2 口在FLASH®程和校验时接 收高八位地址信号和控制信号。
P3 口: P3 口管脚是8个带内部上拉电阻的双向I/O 口,可接收输出4个TTL门 电流。当P3 口写入“1”后,它们被内部上拉为高电平,并用作输入。作为输入,由 丁外部下拉为低电平,P3 口将输出电流(ILL)这是由丁上拉的缘故。P3 口也可作为 AT89S52的一些特殊功能口, P3 口同时为闪烁编程和编程校验接收一些控制信号。
RST复位输入。当振荡器复位器件时,要保持 RST脚两个机器周期的高电平■时 问。
ALE/PROG当访问外部存储器时,地址锁存允许的输出电平■用丁锁存地址的地位 字节。
/PSEN外部程序存储器的选通信号。在由外部程序存储器取指期间,每个机器周 期两次/PSEN有效。但在访问外部数据存储器时,这两次有效的/PSEN信号将不出现。
/EA/VPP:当/EA保持低电平■时,则在此期间选择外部程序存储器(0000H-FFFFH, 不管是否有内部程序存储器。
XTAL1反向振荡放大器的输入及内部时钟工作电路的输入。
XTAL2来自反向振荡器的输出。
(T2> m n
J 1
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40
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39
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