文档介绍：光电三极管的基本结构
光电晶体管和普通晶体管类似，也有电流放大作用。只是它的集电极电流不只是受基极电路的电流控制，也可以受光的控制。
光电晶体管的外形，有光窗、集电极引出线、发射极引出线和基极引出线（有的没有）。
NPN型，
国产器件称为3DU系列。
光电晶体管的灵敏度比光电二极管高，输出电流也比光电二极管大，多为毫安级。
但它的光电特性不如光电二极管好，在较强的光照下，光电流与照度不成线性关系。
所以光电晶体管多用来作光电开关元件或光电逻辑元件。
正常运用时，集电极加正电压。因此，集电结为反偏置，发射结为正偏置，集电结为光电结。
当光照到集电结上时，集电结即产生光电流Ip向基区注入，同时在集电极电路即产生了一个被放大的电流Ic（＝Ie＝（1＋β）Ip）β为电流放大倍数。
因此，光电晶体管的电流放大作用与普通晶体管在上偏流电路中接一个光电二极管的作用是完全相同的。
发射极
集电极
基极
发射极
集电极
光电三极管的工作原理
c
b
e
Ic
Ip
Ib
Vo
光敏三极管的结构原理、工作原理和电气图形符号
光电三极管的工作原理
工作过程：一、光电转换；二、光电流放大
VCC
VCC
基本
应用
电路
达林顿光电三极管电路
为了提高光电三极管的频率响应、增益和减小体积。将光电二极管、三极管制作在一个硅片上构成集成器件
光电三极管的主要特性：
光电三极管存在一个最佳灵敏度的峰值波长。当入射光的波长增加时，相对灵敏度要下降。因为光子能量太小，不足以激发电子空穴对。当入射光的波长缩短时，相对灵敏度也下降，这是由于光子在半导体表面附近就被吸收，并且在表面激发的电子空穴对不能到达PN结，因而使相对灵敏度下降。
光谱特性
入射光
硅
锗
λ/nm
4000
8000
12000
16000
相对灵敏度/%
100
80
60
40
20
0
硅的峰值波长为900nm，锗的峰值波长为1500nm。由于锗管的暗电流比硅管大，因此锗管的性能较差。故在可见光或探测赤热状态物体时，一般选用硅管；但对红外线进行探测时,则采用锗管较合适。
伏安特性
伏安特性
光电三极管的伏安特性曲线如图所示。光电三极管在不同的照度下的伏安特性，就像一般晶体管在不同的基极电流时的输出特性一样。因此，只要将入射光照在发射极e与基极b之间的PN结附近，所产生的光电流看作基极电流，就可将光敏三极管看作一般的晶体管。光电三极管能把光信号变成电信号，而且输出的电信号较大。
I/mA
0
2
4
6
20
40
60
80
U/V
500lx
1000lx
1500lx
2000lx
2500lx
I/μA
L/lx
200
400
600
800
1000
0
光敏晶体管的光照特性
光电三极管的光照特性如图所示。它给出了光敏三极管的输出电流 I 和照度之间的关系。它们之间呈现了近似线性关系。当光照足够大(几klx)时，会出现饱和现象，从而使光电三极管既可作线性转换元件，也可作开关元件。
光照特性
暗电流/mA
10
20
30
50
70
T /ºC
25
0
50
40
60
光电流/mA
100
0
200
300
400
80
10
20
30
40
50
60
70
T/ºC
光电三极管的温度特性
光电三极管的温度特性曲线反映的是光电三极管的暗电流及光电流与温度的关系。从特性曲线可以看出，温度变化对光电流的影响很小，而对暗电流的影响很大．所以电子线路中应该对暗电流进行温度补偿，否则将会导致输出误差。
温度特性