微电子工艺zhangPPT课件.pptx

文档介绍：第十一章 淀积
1
薄膜分类：

（11章）
作用：
、电路的一部分（电感）

内容安排：
11章 SiO2 Si3N4 多晶硅层
12章 金属层
第1页/共82页
1、微芯片加工是平面加工工艺，包含在硅片上生
长不同膜层的步骤；
2、淀积工艺是成膜手段之一（还有哪几种？）；
3、导电薄膜（12章）和绝缘薄膜（本章）；
4、结构的一部分或牺牲层；
5、术语：金属层、关键层、介质层
第十一章 淀积— 引言
2
第2页/共82页
第十一章 淀积— 引言
3
金属层
材料：铝 、铜
名称：M1、 M6
金属层：增加一层成本增加：15%
关键层：底层金属M1
非关键层：上层金属
考虑：速度与功耗，寄生参数（电容、电感、电阻）
第3页/共82页
第十一章 淀积— 引言
MSI 的MOS晶体管的各层薄膜（不平）
4
第4页/共82页
第十一章 淀积— 引言
5
第5页/共82页
第十一章 淀积— 引言
Multilevel Metallization on a ULSI Wafer
6
第6页/共82页
第十一章 淀积— 引言
7
第7页/共82页
第十一章 淀积— 引言
8
介质层
ILD 层间介质 interlayer dielectric
SiO2介电常数 ~
作用：
电学
物理
第8页/共82页
薄膜：在一种衬底上生长的薄固体物质；
薄膜淀积：任何在硅片衬底上物理淀积一层膜 的工艺（半导体、导体或绝缘物质）。
第十一章 淀积— 膜淀积
9
第9页/共82页
第十一章 淀积— 膜淀积
10
第10页/共82页