文档介绍：目录
一、课程设计目的与要求……………………………………….…………….…..2
二、元件介绍…………………………………………………………………….…....3
三、课程设计原理…………………………………………………………………...6
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,载流长直螺线管的磁感应强度……………………..8
四、课程设计容………………………………………………………...………...10
……………………………………………………………...…..10
…………………………………………………………….…..10
-3接好信号处理电路……………………………………………......10
-4接好总测量电路……………………………………………….….11
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..……………………………………………………………….…........13
五、成品展示……………………………………………………………………….....16
六、分析与讨论………………………………………………………………..….…17
实验所需仪器…………………………………………………………………….……19
个人总结………………………………………………………………………………...20
致…………………………………………………………………………….………….21
参考文献………………………………………………………………………..……….22
参考网址…………………………………………………………………………...…….22
一、课程设计目的与要求
二、元件介绍
CA3140
CA3140高输入阻抗运算放大器,是美国无线电公司研制开发的一种BiMOS高电压的运算放大器在一片集成芯片上，该CA3140A和CA3140 BiMOS运算放大器功能保护MOSFET的栅极（PMOS上）中的晶体管输入电路提供非常高的输入阻抗，极低输入电流和高速性能。操作电源电压从4V至36V（无论单或双电源),它结合了压电PMOS晶体管工艺和高电压双授晶体管的优点.(互补对称金属氧化物半导体)卓越性能的运放。
应用围:
.单电源放大器在汽车和便携式仪表
.采样保持放大器
.长期定时器
.光电仪表
.探测器
.有源滤波器
.比较器
.TTL接口
.所有标准运算放大器的应用
.函数发生器
.音调控制
.电源
.便携式仪器
3503霍尔元件
UGN3503LT，UGN3503U和UGN3503UA霍尔效应传感器准确地跟踪磁通量非常小的变化，密度变化通常太小以致不方便操作霍尔效应开关。
可作为运动探测器，齿传感器和接近探测器，磁驱动机械事件的镜像。作为敏感电磁铁的显示器，就可以有效地衡量一个系统的负载量可以忽略不计的性能，同时提供隔离污染和电气噪声。
每个霍尔效应集成电路包括一个霍尔传感元件，线性放大器和射极跟随器输出级。
三种封装形式提供了对磁性优化包大多数应用程序。封装后缀“LT”是一个缩影SOT-89/TO243AA表面贴装应用的晶体管封装;后缀“U”是一个微型三引脚塑料SIP，而'UA'是一个三引脚超小型SIP协议。所有器件的额定连续运行温度
围为-20 °C至+85°C。
特点:
·极为敏感
·至23 kHz的平坦的响应
·低噪声输出
· V至6 V的操作
·磁性优化装箱
图2-4 3503霍尔元件封装及引脚图
三、课程设计原理
图3-1-1 霍尔效应原理图
把矩形的金属或半导体薄片放在磁感应强度为的磁场中，薄片平面垂直于磁场方向。如图3-1-1所示，在横向方向通以电流I，那么就会在纵向方向的两端面间出现电位差，这种现象称为霍尔效应，两端的电压差称为霍尔电压，其正负性取决于载流子的类型。(图3-1-1载流子为带负电的电子，是N型半导体或金属)，这一金属或半导体薄片称为霍尔元件。假设霍尔元件由N型半导体制成，当霍尔元件上通有电流时，自由电子运动的方向与电流I的流向相反的。由于洛伦兹力的作用，电子向一侧偏转，在半导体薄片的横向两端面间形成电场
称为霍尔电场，对