文档介绍：CMO坂相器的制造工
艺流程
院系：交通科学与工程学院
学号：11131066
姓名：姬勃
2013年12月9日
,
种主要的制造工艺为基础。文章介绍了 CMOS反相器的主要工
艺流程，并对集成电路的主要制造工艺作了简要分析。
关键词：CMO阪相器、工作原理、工艺流程
CMOS反相器介绍
CMOS反相器由一个P沟道增强型MOS管和一个N沟道增强型
MOS管串联组成。通常 P沟道管作为负载管，N沟道管作为输入管。这种配置可以大幅降低功耗，因为在两种逻辑状态中，两个晶体管中的一个总是截止的。处理速率也能得到很好的提
高，因为与NMOS型和PMOS型反相器相比，CMOS反相器的电阻相对较低
两个MOS管的开启电压VGS(th)P<0, VGS(th)N >0,通常为了保证正常工作，要求 VDD>|VGS(th)p|+V GS(th)N。若输入 VI为低电平(如 0V),贝U负载管导通，输入管截止，输出电压接近 VDD。若输入VI为
高电平(如Vdd),则输入管导通，负载管截止，输出电压接近 0V。
综上所述，当VI为低电平时Vo为高电平；VI为高电平时Vo
为低电平，电路实现了非逻辑运算，是非门
反相器
CMOS的制造流程
CMOS是集成电路的最基本单元，它的制作流程可分为前段和后段，前段流程主要完成元件的制作，包括组件隔离区的形成、阱的植入、栅极的制成、 LDD的植入、源极和漏极的制成。后段流程主要完成元件之间的互连，包括第一层金届的制成、第二层金届的制成、保护层和焊垫的制成。以程为例，具体分为以下步骤。

防止这些杂质尘粒，对后续的制程造成影响，使得组件无
初始活洗就是将晶圆放入活洗槽中，利用化学或物理的方法将在晶圆表面的尘粒，或杂质去除，
正常工作。
是半导体制程中所用到的标准活洗步骤。

囊
化学溶剂
清洗温度
清除之污染物
1
H2SO4+H2O2 (4:1)
120 C
有机污染物
2
Water
室温
洗清
3
NH4OH+H2O2+H2O
80
90 C
微尘
4
Water
室温
洗清
5
HCL+H2O2+H2O (1:1:5)
80
90 C
金属离子
6
Water
室温
洗清
7
HF+H2O (1:50)
室温
原生氧化层
8
Water
室温
洗清
2. 前置氧化
。先长一层薄薄的二氧化硅，目的是为了降低后续制程中的应力，因为要在晶圆的表面形成一层厚的氮化硅，而氮化硅具有很强的应力，会影响晶圆表面的结构，因此在这一层氮化硅及硅晶圆之间，加入一层二氧化硅减缓氮化硅的应力，因为氮化硅具有拉力而二氧化硅具有张力，因此加入一层二氧化硅可以平■衡掉硅晶圆表面的应力。
■——I'Std
Silicon Ej>i Layer P

化硅
。利用 PECVD的技术沉积氮化硅，用来隔绝氧气与硅的接触，以定义出组件隔离的区域，使不被氮化硅所覆盖的区域，被氧化而形成组件隔离区。
离子布植--离子布植是将所需的注入元素（如石申）电离成正离子，并使其获得所需的能量，以很快的速度射入硅芯片的技术。而这个固体材料主要是由原子核和电子组成的。

组件隔离区的光罩形成，利用微影的技术，上光阻，将要氧
化绝缘的区域的光阻去除，而定义出组件隔离区。
Silicon Efi Layer I

，将需要氧化区域的氮
化硅利用活性离子蚀刻
法去除。接着再将光阻去除。

元件隔离区的氧化，利用氧化技
术，在组件隔离区长成一层
厚厚的二氧化硅，形成组件的隔离区。注：氧化--二氧化硅(SiO2)的
制作方法有:;；
化法；。其中较常用的热氧化法乂可分为
法；2.
湿氧化法；；***氧化法。而湿氧化法乂有普通湿氧氧化法及氢氧合成湿氧化法。
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Silicon Epi Lav er P
Sil icon Substrate P*

去除氮化硅