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文档介绍

文档介绍:*
第二章 高频放大电路
小信号谐振放大电路:选频、放大;
谐振功率放大电路:高功率输出、高效率;
倍频电路: fo=n*fi;
宽带高频功率放大电路:高功率、宽频带。
高频电路中的元器件,谐振回路的基本特性
高频电路中的元器件,谐振回路的基本特性
*
高频电路中的元器件
高频电路中的无源器件
无源线性器件包括:电阻、电容、电感
一、电阻的高频等效电路
R:电阻;
CR:分布电容;
LR:引线电阻;
高频特性:
金属膜电阻>碳膜电阻>线绕电阻;
表面贴装(SMD)电阻 >引线电阻;
小尺寸的电阻>大尺寸电阻。
实际电阻器
低频时:电阻;
高频时:电阻、电抗。
*
二、电容的高频等效电路
一个实际的电容,高频时两个极板之间会有损耗和电磁效应,存在R和L。
在实际电路中设计去耦滤波电路时,可将一个大容量的电容和一个小容量的电容并联在一起使用,从而拓宽滤波电路的频率范围:在频率较低时,大容量电容的寄生串联电感的感抗比容抗小,总体来说呈现容抗;而小容量电容的容抗很大,在整个电路中不起作用;在频率很高时,大容量电容将等效为一个电感,起不到去耦滤波作用,此时小容量电容的容抗相当小,可以起去耦滤波的作用。
当工作频率很高时,感抗可能超过容抗,此时的电容将等效为一个电感。容量越大的电容,这种情况越明显。
*
三、电感的高频等效电路
高频电感器一般由导线绕制而成,因而具有直流电阻R。
电感的工作频率越高,趋肤效应越强,再加上涡流损失、磁芯电感在磁介质内的磁滞损失、以及由电磁辐射引起的能量损失等,都会使高频电感的等效电阻(交流电阻)大大增加。一般情况下,交流电阻远大于直流电阻,因此高频电感器的电阻主要指交流电阻。但是在实际中,并不直接用交流电阻来表示高频电感器的损耗性能,而是引入一个易于测量、使用方便的参数——品质因数Q来表征。
*
在不同的工作频段,各参数所起作用的相对大小不同。在中、短波频段,可以将实际电感视做理想(无损耗)电感和电阻串联。进入超短波频段后,应考虑电阻的趋肤效应(将导致电阻值随频率的升高而增大)和与电感相并联的等效电容。对于多层密绕的电感,电容的影响则更为明显,在这种情况下,等效并联电容的容抗会变得比感抗还要小,电感的感抗性质就消失了。
*
品质因数定义为高频电感的感抗和与其串联的损耗电阻之比。Q值越高,表明电感的储能作用越强,损耗越小。
品质因数Q定义:
*
高频电路中的有源器件
一、二极管
在高频电路中,晶体二极管主要用于检波、调制、解调及混频等非线性变换电路。此时,二极管一般工作在较低的电平。
1、点接触式和表面势垒二极管(又称肖特基二极管):两者比较常用,都是利用多子导电机理,它们的极间电容小,工作频率高。当晶体二极管工作在高频时,其PN结电容(包括扩散电容和势垒电容)不能忽略。此时可把晶体二极管等效为一个并联有电容的电阻,当二极管截止时的电阻为无穷大,而当二极管导通时的交流电阻为rd=VT/ID。
*
2、变容二极管:二极管工作于反偏状态时,其特点是等效电容随偏置电压变化而变化,且此时基本上不消耗能量,噪声小,效率高。
3、PIN二极管:在两个高掺杂的P型和N型半导体之间夹入了一个未掺杂的本征层(即I层)。
PIN二极管具有较强的正向电荷储存能力,其高频等效电阻受正向直流电流的控制,是一个可调电阻;同时,由于其结电容很小,对频率特性的影响很小,在几十兆到几千兆赫兹频段上都适用,因此被广泛用做电可控开关来替代传统的开关,此外PIN管也可以用在限幅器、电调衰减器或电调移相器中。
*
二、双极晶体管与场效应管
1、高频小功率管:放大小信号,要求高增益和低噪声。
目前的双极型小信号放大管工作频率可达几GHz,噪声系数为几个dB;小信号的场效应管能工作在同样甚至更高的频率,且噪声更低,例如***化镓(GaAs)场效应管的工作频率可达十几GHz以上。
2、高频功率放大管:要求除了增益外,还要求在高频时能够有较大的输出功率。
在几百MHz以下频率,双极型晶体管的输出功率可达十几瓦至上百瓦;而MOSFET型管甚至在几GHz的频率上还能输出几瓦功率。
*

谐振回路:L、C串并联网络
作用:构成选频网络、移相网络、相移转换网络等。
LC简单串、并联谐振回路的基本特性

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