文档介绍：化学学报 ACTA OHIMICA SINIOA 1991 , 19 , 998-1003 金属修饰半导体硅组成光电化学电池的研究李怀祥· 王士励李国铮(山东大学化学系,济南, 本文以和为基底,通过铀、镇等金属膜表面修饰后组成光电化学电池,,在回 - 的光阴射下,最佳电池的输出参数是:开路光电压 V , 短路光电流 'cm-' ,填充因子,光电转换效率连续照光小时,电池性能基本稳定. 将太阳能直接转换成电能是太阳能利用的一个重要方面,,它与石油、(PEO) PEO 电池的阳极材料时,表面容易生成 Si0 , ,,提高电极反应的光催化活性也有报道前已表明,以 n 型外延硅为基底,通过金属锦或 NiOOH 膜修饰后,光助电解水析氧得到了较好的结果本文报道铺、锦等金属膜修饰 n/n+-Si 和 p/n+-Si 电极组成 PEO 电池的研究结果. 实验材料与试剂山东大学半导体材料厂提供的 n 型外延硅 n/n+- 钮,电阻率为1. 100n. 'om ,外延层厚度为 14-15μm. 具有 p 型外延层的 p/n+- 缸,外延层电阻率为 0 50 'om 、厚度为 8-9μm. 金属修饰材料铀、锦的纯度均为 %. 试剂均为分析纯,〉做保护气体. 仪器 DM-200 型高真空镀膜机(上海新跃仪表厂). DMS200 型紫外可见分光光度计(美国 Varian 仪器公司). D HZ- l 型电化学综合测试仪(福建三明市无线电二广). J G- l 型绝对功率计(吉林长春市科学仪器厂). P Z-8型数字电压表(洒北承德电子仪器厂). 电报制备半导体硅片经 48%HF 水榕液刻蚀 10min ,用蒸馆水、无水乙醇冲洗. 在 1-2xl0- pa 条件下,经加热鸽舟分别蒸着铀或镰等金属膜覆盖于干净的半导体硅(口表面. 控制金属的蒸发量和膜的厚度,并同时测量蒸在玻璃片上金属膜的透光率进行膜厚度的计算蒸好的半导体电极在氧气氛中 450 0 时热处理 ].镀铀膜 3nm 的硅片进行碱榕液处理口气 皿 4 异丙醇, 皿 - 的 NaOH , 80 "'Advances in Photochemistr y" 回 of 14: th In t8 rnational Co on ∞ Be ijing , Aug. 21-26 , 1989. ..现在山东师范大学化学系工作. 化学学报 AαrA OHIMIOA SINIO A. 1991 .999. 蚀时间 3 皿取出后用蒸锢水、无水乙