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IC制造流程简介64576PPT课件.ppt

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文档介绍

文档介绍:IC制造流程简介
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基本概念
半导体是指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料,其指四价硅中添加三价或五价化学元素而形成的电子元件,它有方向性,可以用来制造逻辑线路使电路具有处理资讯的功能。
半导体的传导率可由搀杂物的浓度来控制:搀杂物的浓度越高,半导体的电阻系数就越低。
P型半导体中的多数载体是电洞。硼是P型的掺杂物。
N型半导体的多数载体是电子。磷,***,锑是N型的搀杂物。
集成电路(IC) 是指把特定电路所需的各种电子元件及线路缩小并制作在大小仅及2平方公分或更小的面积上的一种电子产品。
集成电路主要种类有两种:逻辑LOGIC及记忆体MEMORY。前者主要执行逻辑的运算如电脑的微处理器后者则如只读器READ ONLY 及随机处理器RANDOM ACCESS MEMORY等。
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集成电路(IC)产业主要分为设计、生产、测试 、封装四个阶段.
集成电路的生产主要分三个阶段:
基本概念
纪律
创造品质
集成电路(IC)的制造
IC测试与封装PACKAGE
硅镜片WAFER的制造
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4
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基本制程
Wafer Start
CMP
Oxidation
PVD, CVD
Wafer Cleaning
Photolithography
Etch (Dry or Wet)
Annealing
Implantation
Wafer Start
CMP
Wafer Cleaning
Ash & Strip
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基本制程
6
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原理: 在晶片表面上覆上一層感光材料,來自光源的平行光透過光罩的圖形,使得晶片表面的感光材料進行選擇性的感光。
 
感光材料: 正片-經過顯影(Development),材料所獲得的圖案與光罩上相同稱為正片。 負片-如果彼此成互補的關係稱負片
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微影制程 -1
Wafer
Wafer
暴光系统暴光
Wafer
光刻胶
涂光刻胶
氧化层
光源
Wafer
光刻胶
投影 Lens
光罩
聚光镜
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光罩
光刻胶
氧化层
光源
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接上一页
Wafer
Wafer
Wafer
光刻胶显影
刻蚀氧化层
去除光刻胶
显示图形
刻蚀出符合显影的图形
移除光刻胶
微影制程 -2
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掺杂物(Doping)概念:
To get the extrinsic semiconductor by adding donors or acceptors, which may cause the impurity energy level. The action that adding particular impurities into the semiconductor is called “doping” and the impurity that added is called the “dopant”.
Doping介绍
Doping 方法:
1. 扩散(Diffusion)
2. 离子植入(Implantation)
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