文档介绍：模拟电子技术基础
第四版
清华大学电子学教研组 编
童诗白 华成英 主编
自测题与****题解答
第 1 章 常用半导体器件
自测题
一、判断下列说法是否正确，用 “×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素 ，可将其改型为 P 型半导体。( √ )
(2)因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 ( × )
(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。 ( √ )
(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 ( × )
(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压 ，才能保证
其 大的特点。 √
R GS ( )
(6)若耗尽型 N 沟道 MOS 管的 U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。 ( × )
二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
、后者也反偏 、后者反偏 、后者也正偏
(4) UGS=0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
MOS 管 MOS 管
三、写出图 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压 UD=。
图
解：UO1=, UO2=0V, UO3=-, UO4=2V, UO5=, UO6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值 UZ=6V，稳定电流的最小值 IZmin=5mA。求图 所示电路
2
中 UO1 和 UO2 各为多少伏。
(a) (b)
图
解：左图中稳压管工作在击穿状态，故 UO1=6V。
右图中稳压管没有击穿，故 UO2=5V。
五、电路如图 所示，VCC=15V，β=100，UBE=。
试问：
(1)Rb=50kΩ时，Uo=?
(2)若 T 临界饱和，则 Rb=?
U BE V BB −
A 解： = (1) I B = 26 µ ，
R b
mA I B = I C = β ,
V R I = c C V CC U − O = 2 。 图
U BE V CC −
AmA = (2)∵ I CS = A I ， = CS I BS = µ / β
R c
U BE V BB −