文档介绍：硅片线痕、T T V 的分析
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线痕按表现形式分为杂质线痕、划伤线痕、密布线痕、错位线痕、边缘线痕等。各种线痕产生的原因如下：
1、杂质线痕：由多晶硅锭内杂质引起，在切片过程中无法完全去除，导致硅片上产生相关线痕。
表现形式：(1)线痕上有可见黑点，即杂质点。
无可见杂质黑点，但相邻两硅片线痕成对，即一片中凹入，一片凸起，并处同一位置。
以上两种特征都有。
一般情况下，杂质线痕比其它线痕有较高的线弓。
改善方法：
改善原材料或铸锭工艺，改善IPQC检测手段。
改善切片工艺，采用粗砂、粗线、降低台速、提高线速等。
其它相关：硅锭杂质除会产生杂质线痕外，还会导致切片过程中出现“切不动”现象。如未及时发现处理，可导致断线而产生更大的损失。
2、划伤线痕：由砂浆中的SIC大颗粒或砂浆结块引起。切割过程中，SIC颗粒“卡”在钢线与硅片之间，无法溢出，造成线痕。
表现形式：包括整条线痕和半截线痕，内凹，线痕发亮，较其它线痕更加窄细。
改善方法：(1)针对大颗粒SIC (~3D50),加强IQC检测；使用部门对同一批次SIC先进行试用，然后再进行正常使用。
导致砂浆结块的原因有：砂浆搅拌时间不够；SIC水分含量超标，砂浆配制前没有进行烘烤；PE***分含量超标(重量百分比＜0. 5%)； SIC成分中游离C (〈%)以及＜2 nm 微粉超标。
其它相关：SIC的特性包括SIC含量、粒度、粒形、硬度、韧性等，各项性能对于切片都有很大的影响。
3、密布线痕(密集型线痕)：由于砂浆的磨削能力不够或者切片机砂浆回路系统问题，造成硅片上出现密集线痕区域。
表现形式：
(1)硅片整面密集线痕。
硅片出线口端半片面积密集线痕。
硅片部分区域贯穿硅片密集线痕。
部分不规则区域密集线痕。
硅块头部区域密布线痕。
改善方法：(1)硅片整面密集线痕，原因为砂浆本身切割能力严重不足引起，包括 SIC颗粒度太小、砂浆搅拌时间不够、砂浆更换量不够等，可针对性解决。
硅片出线口端半片面积密集线痕。原因为砂浆切割能力不够，回收砂浆易出现此类情况，通过改善回收工艺解决。
硅片部分区域贯穿硅片密集线痕。原因为切片机台内砂浆循环系统问题，如砂浆喷嘴堵塞。在清洗时用美工刀将喷嘴内赃物划向两边。
部分不规则区域密集线痕。原因为多晶硅锭硬度不均匀，部分
区域硬度过高。改善铸锭工艺解决此问题。
硅块头部区域密布线痕。切片机内引流杆问题。
4、错位线痕：由于切片机液压夹紧装置表面有砂浆等异物或者托板上有残余胶水，造成液压装置与托板不能完全夹紧，以及托板螺丝松动，而产生的线痕。
改善方法：规范粘胶操作，加强切片前检查工作，定期清洗机床。
5、边缘线痕：由于硅块倒角处余胶未清理干净而导致的线痕。
表现形式：一般出现在靠近粘胶面一侧的倒角处，贯穿整片硅片。
改善方法：规范粘胶操作，加强检查和监督。
TTV (Total Thickness Variety)
TTV不良，都是由于各种问题导致线网抖动而