文档介绍：华中科技大学
博士学位论文
微光学阵列器件研究
姓名:何苗
申请学位级别:博士
专业:电子科学与技术
指导教师:易新建
华中理工大学博士学位论文内容摘要性能测试进行了较为系统的研究。研究结果有许多创新之处:岢鲆恢种谱靼纪妇嫡罅械男碌姆椒ㄒ磺实挂卓淌捶ǎ赟,等本文从实验和理论两个方面对微光学阵列器件的设计方法、制作技术和光学怨饪倘热鄯ḿ袄胱邮淌醇际踅辛硕嘀指慕脱苌岢隽饲什偿刻蚀法及倒悬断裂热熔法,在、汉虯瘸牡咨铣晒Φ刂谱鞒雠孜锩嫖光学阵列和圆锥面微光学阵列等多种非球面微光学阵列器件,摸索了制作各种微怨饪倘热鄯ń辛烁慕诠诼氏忍岢隽说啄す饪倘热鄯ɡ粗谱鞒ü运髂┛颂岢龅睦胱邮ι淇淌此俾世砺酃浇蟹治觯约岸栽不同刻蚀参数下多种材料庵驴故醇痢:等目淌此俾实氖笛榻峁据相当吻合,对后续实验工作有较强的指导意义,可定量分析光致抗蚀剂掩模图光学阵列器件的经验参数,以上笔者提出的方法为制作采用传统方法难以制作的非球面微光学阵列器件提供了全新的技术途径,在国内外未见报道。衬底上成功地制作出凹透镜阵列器件,为国内首创。焦距的微透镜阵列,有效地拓展了微透镜阵列的制作范围。行总结,提出了形式简洁的氩离子柬刻蚀的刻蚀速率经验公式,此公式与实验数形通过氩离子束刻蚀向衬底进行面形轮廓传递的过程。致哿巳热鄢尚喂ひ罩械牧俳缧вΓ⑻岢隽诵掠薄⒆郧⒌奈锢碲故停引进了临界成形系数和临界接触角的概念,并推导出它们之间简洁的函数关系式,此关系式揭示了热熔前后微图形特征参数间的内在联系,为定量研究热熔成形过程提供了新的思路。厂
华中理工大学博士学位论文述,为微光学阵列器件的实用化奠定了基础。广一~状的凸折射型微透镜阵列,摸索了一整套制作微透镜阵列器件的经验参数。频汲隽宋⑼妇嫡罅械憷┥⒑慕馕霰泶锸剑⒘宋⑼妇档憷┥⒑攵晕⑼妇涤牒焱饨蛊矫嬲罅械募桑捎帽咴倒庀咦芳7ǘ宰魑N⒓能器使用的微透镜阵列的光学参数进行了设计。测试了高5某急∧红外探测器线列与柱折射微透镜线列混合组件的红外光电响应特性,开展了微透镜阵列与瓜傻氖笛樽急腹ぷ鳌晕⒐庋д罅衅骷谋砻嫖⒐坌蚊步辛瞬馐浴擞镁卣蠊庋Ю砺壑械氖У骶卣蠓椒ǎ致哿宋⑼妇嫡罅械亩嘀爻上窈晕⒐庋д罅性诩す庾贾薄⒄罅蟹⑸鳌⒘榍晒馐杵鳌⑴孜锩娣瓷型集能器阵列和凸庾墩罅械戎匾A煊虻挠τ迷砗褪迪值募际跬揪督辛瞬关键词:微透镜阵列,光致抗蚀剂,氩离子束刻蚀,红外焦平面阵列,微光学阵列器件另外,本文还进行了如下研究:捎霉饪倘热鄯ḿ袄胱邮淌醇际踉赟蛃牡咨铣晒χ谱鞒龆嘀中数的测试系统,并对各种形状微透镜的点扩散函数进行了测试。综合成像特性。、
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华中理工大学博士学位论文第一章绪论甜4淼奈⒐庋骷诮蛊矫婕狻世纪之交,信息技术的发展如火如茶,与婴儿的成长是不断长大相反,器件的发展是不断缩小:Ⅲ代微处理器、火材盒大小的动电话机和集成度高达上千万个元件的特大规模集成电路等,这些代表着当今科学技术发展最高成就的高新技术,无不演绎和浓缩着一个又一个微型化的故事,微型化已成为我们这个时代科学技术发展的主要特征之一。目前,半导体集成电路的集成度以每年翻一番的速度增长,结构最为致密的集成电路元器件密度正在超过人类大脑细胞的表面密度,与此同时,微器件的尺寸已伸展到亚微米量级,而微器件的最小特征尺寸已成为衡量一个国家科学技术和工业现代化水平的重要标志。器件的微型化并不是简单地等同于外形尺寸上的缩小,其意义在于由微器件构成的系统具有响应速度快、可靠性好、集成程度高及性能价格比高等优点。微系统的出现大大拓展了科学仪器的应用范围,并将科学研究的范围延伸至传统方法无法涉及的领域,微系统对科技的影响不亚于基因技术对生物学产生的影响。年,美国国家关键技术委员会向美国总统提交了《美国国家关键技术》报告【,该报告指出:微工程技术是发展新一代计算机、先进机器人及智能化系统,促进机械、电子及仪器仪表工业实现集成化和智能化的核心技术之一。目前,世界各国都对微系统的研究投入了大量的人力和物力【浚好拦啦棵磕瓴Τ亿美元用于微系统研究;德国联邦政府每年拨款万美元支持微系统研究;英国政府每年拿出万美元投入微系统研究;另外。日本、加拿大和法国等技术发达国家也均在九十年代初期将微系统的研究和开发列为新的重点或国家项目,投入大量的资金和人力予以支持。可以这么说,科技界和产业界正在经历着一场波澜壮阔的微同其它科技领域一样,在光学领域,光学元件和系