文档介绍：《集成电路设计基础》
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上次课内容
第3章 集成电路工艺简介
引言
外延生长工艺
掩模的制版工艺
光刻工艺
掺杂工艺
绝缘层形成工艺
金属层形成工艺
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本次课内容
第4章 集成电路特定工艺
引言
双极型集成电路的基本制造工艺
MESFET工艺与HEMT工艺
CMOS集成电路的基本制造工艺
BiCMOS集成电路的基本制造工艺
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所谓 特定工艺，常常是指以一种材料为衬底、一种或几种类型的晶体管为主要的有源器件；辅以一定类型的无源器件；以特定的简单电路为基本单元；形成应用于一个或多个领域中各种电路和系统的工艺。
引言
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特定工艺
这些特定工艺包括：
硅基的双极型工艺、CMOS、BiCMOS、锗硅HBT工艺和BiCMOS工艺，SOI材料的CMOS工艺，GaAs基/InP基的MESFET工艺、HEMT工艺和HBT工艺等。目前应用最广泛的特定工艺是CMOS工艺。在CMOS工艺中，又可细分为DRAM工艺、逻辑工艺、模拟数字混合集成工艺，RFIC工艺等。
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双极型集成电路的基本制造工艺
在双极型集成电路的基本制造工艺中，要不断地进行光刻、扩散、氧化的工作。
典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺流程图如下图所示。
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典型PN结隔离掺金TTL电路工艺流程图
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双极型集成电路基本制造工艺步骤
（1）衬底选择
对于典型的PN结隔离双极集成电路，衬底一般选用 P型硅。芯片剖面如图。
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双极型集成电路基本制造工艺步骤
（2）第一次光刻——N+隐埋层扩散孔光刻
一般来讲，由于双极型集成电路中各元器件均从上表面实现互连，所以为了减少寄生的集电极串联电阻效应，在制作元器件的外延层和衬底之间需要作N+隐埋层。
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第一次光刻——N+隐埋层扩散孔光刻
从上表面引出第一次光刻的掩模版图形及隐埋层扩散后的芯片剖面见图。
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