文档介绍：超高频读写器射频电路设计发射前端芯片湖南大学硕士学位论文学校代号:学密级:普通号:
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锥嗥⒈C芸冢凇!D杲饷芎笫视帽臼谌ㄊ椤作者签名:·茹坯印,瓴皆拢唬学位论文原创性声明学位论文版权使用授权书湖南大学辍鹿日本人郑重声明:所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果作品。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律后果由本人承担。本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定,同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅。本人授权湖南大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。本学位论文属于⒉槐C芡拧朐谝陨舷嘤Ψ娇蚰诖颉啊ⅲ作者签名:日期:年月日导师签名:.‘
要摘本文系统研究了超高频淦凳侗读写器中的射频发射前端芯片电路。首先,对系统、超高频系统和超高频读写器做了详细的介绍。其次,阐述了超高频读写器中射频发射机芯片电路的工作原理、特点和发展状况。然后,在阅读了大量超高频读写器、超高频读写器射频发射前端芯片电路、上混频器和功率放大器文献的基础上,分别设计了射频发射前端芯片中的上混频器和功率放大器这两个单元电路,。最后,对提出的射频发射前端芯片电路用砑辛税嫱忌杓疲⒔了前仿真、后仿真。本文的主要创新工作如下:岢隽艘恢止ぷ饔刀蔚男滦透咴鲆妗⒏呦咝远取⒌噪声上混频器。混频器的主体结构为吉尔伯特双平衡结构,通过采用跨导互补电流注入技术,即将电流注入结构晶体管作为射频跨导的一部分,增大了跨导值,减小了开关管电流,从而使得噪声减小,增益增加,线性度提高;并联网络作为电路的输出匹配网络,,混频器性能变化不大;电路工作电压仅为蛔詈蠖缘缏酚肅软件进行了版图设计及仿真。岢隽艘恢止ぷ饔刀蔚男滦透咝省⒏呦咝远取⒋功率增益的全集成功率放大器。电路设计采用三级放大结构,因为单级放大结构很难得到所需的增益,前两级预放大级采用类,为最后功放级提供大信号驱动,从输入级到输出级,晶体管尺寸依次增大;在标准工艺中实现一个高效率功率放大器的难点是击穿电压低,为了克服这个难点,设计中采用了自偏置共源共栅结构,即通过在共源共栅结构中的共栅管栅极采用自偏置电路来调节栅极电压,使得漏极电压摆幅较大时,栅漏电压不会超过击穿电压;电路中的电感全部采用片上电感,更易于集成;最后对电路用砑辛税嫱忌杓及仿真。,⑸淝岸诵酒缏肥褂玫ヒ坏缭垂┑纾工作电压为,电路具有大输出功率,高效率和高线性的特点。最后对电路用砑辛税嫱忌杓萍胺抡妫橹ち说缏返目煽啃浴关键词:超高频射频识别;射频发射前端;上混频器;功率放大器;版图超高频读写器射频发射前端芯片电路设计
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