文档介绍：模拟电子技术基础第三次
NPN型晶体管
e
c
b
集电区
集电结
基区
发射结
发射区
集电极 c
基极 b
发射极 e
N
N
P
模拟电子技术基础第三次
PNP型晶体管
集电区
集电结
基区
发射结
发射区
集电极 c
发射极 e
基极 b
c
b
e
符号
N
N
P
P
N
图 © 三极管结构示意图和符号 (b)PNP 型
模拟电子技术基础第三次
二、晶体管的放大原理
三极管内部结构要求：
N
N
P
e
b
c
N
N
N
P
P
P
1. 发射区高掺杂。
2. 基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。
三极管放大的外部条件：外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。
3. 集电结面积大。
模拟电子技术基础第三次
扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。
模拟电子技术基础第三次
b
e
c
Rc
Rb
晶体管内部载流子的运动
I E
IB
发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流
发射区的电子越过发射结扩散到基区，基区的空穴扩散到发射区—形成发射极电流 IE (基区多子数目较少，空穴电流可忽略)。
2. 扩散到基区的自由电子与 空穴的复合运动形成基极 电流
电子到达基区，少数与空穴复 合形成基极电流 Ibn，复合掉的 空穴由 VBB 补充。
多数电子在基区继续扩散，到达集电结的一侧。
晶体管内部载流子的运动
模拟电子技术基础第三次
b
e
c
I E
I B
Rc
Rb
，漂移运动形成集电极电流Ic
集电结反偏，有利于收集基区扩散过来的电子而形成集电极电流 Icn。
其能量来自外接电源 VCC 。
I C
另外，集电区和基区的少子在外电场的作用下将进行漂移运动而形成反向饱和电流，用ICBO表示。
ICBO
晶体管内部载流子的运动
模拟电子技术基础第三次
b
e
c
e
Rc
Rb
二、晶体管的电流分配关系
IEp
ICBO
IE
IC
IB
IEn
IBn
ICn
图晶体管内部载流子的运动与外部电流
IE－扩散运动形成的电流
IB－复合运动形成的电流
IC－漂移运动形成的电流
模拟电子技术基础第三次
三、晶体管的共射电流放大系数
整理可得：
ICBO 称反向饱和电流
ICEO 称穿透电流
1、共射直流电流放大系数
VCC
Rb
+
VBB
C1
T
IC
IB
C2
Rc
+
共发射极接法
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