文档介绍：MOSFET 器件回顾与展望
2
———————————————————————————————— 作者：
———————————————————————————————— 日期：
个人收集整理 勿做商业用途
个人收集整理 勿做商业用途
3
个人收集整理 勿做商业用途
“半导体技术"2007年 第32卷 第1期
技术论文“摘要”
趋势与展望
P1— MOSFET器件回顾与展望(下）
P6— AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的研究进展
P12— 用于光刻的EUV光源
现代管理
P17- 300 mm半导体代工厂的化学供应系统探讨
器件制造与应用
P21— CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的结构和特点
P26- 改进型抗单粒子效应D触发器
P29— 一种采用饱和区MOS管作调节开关的电荷泵
P33— LDMOS射频功率放大器电热记忆效应研究
工艺技术与材料
P37— pH值对铌酸锂晶片抛光速率及抛光表面的影响
P40— ICP刻蚀损伤对n-GaN-Ni/Au肖特基接触特性的影响
P43— ICP刻蚀机反应腔室气流仿真研究
P47— 不同钝化层对硅基铝金属膜应力影响的研究
集成电路设计与开发
P52— 一种基于DDS的改进信号合成电路设计
P55— 车载定位导航终端的设计
P58- FPGA中通用互连结构的设计与优化
P62- 2。45 GHz全集成CMOS功率放大器设计
P65- 高性能双模前置分频器设计
封装、测试与设备
P68— TSOP封装脱模中硅片碎裂失效的有限元分析
P74- 基于线阵CCD的光刻机调焦调平系统的研究
P77— ESD电热模拟分析
个人收集整理 勿做商业用途
个人收集整理 勿做商业用途
10
个人收集整理 勿做商业用途
个人收集整理 勿做商业用途
个人收集整理 勿做商业用途
10
个人收集整理 勿做商业用途
趋势与展望
MOSFET器件回顾与展望（下）
肖德元１,夏青２，陈国庆１
(１．中芯国际集成电路(上海）有限公司存储器技术发展中心，上海２０１２０３；
２．上海第二工业大学，上海２０１２０９）
摘要：介绍了新颖的MOS器件结构及鳍状FET器件研究最新进展，比较了几种主要新颖半导体器件的特性，指出了MOSFET尺寸缩小所面临的巨大挑战及解决办法,展望了器件未来发展趋势。
AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的研究进展
裴风丽１，２，冯震２,陈炳若１
（１．武汉大学 物理科学与技术学院，武汉４３００７２；
２．中国电子科技集团公司 第十三研究所，石家庄０５００５１)
摘要：从欧姆接触形成的机理出发，介绍了在AlGaN/GaN HEMT中实现源和漏区欧姆接触的各种方法，如表面处理技术、金属化系统和重掺杂技术等。回顾了近年来这些方法的研究进展.
用于光刻的EUV光源
赵环昱１,２，赵红卫１
（１．中国科学院近代物理研究所，兰州７３００００；
２．中国科学院研究生院，北京１０００４９）
摘要：对国际上普遍采用的两种EUV光源:放电等离子体源（DPP)和激光等离子体源（LPP）进行了多方面比较。给出了两种等离子体源各自优点及难以克服的困难。基于目前的测量结果，指出了ECR等离子体有潜力成为一种新型的极紫外辐射源。紫外光刻使摩尔定律得以延续的信心。
现代管理
300 mm半导体代工厂的化学供应系统探讨
张云秀,黄其煜
（上海交通大学 微电子学院，上海２０００３０）
个人收集整理 勿做商业用途
个人收集整理 勿做商业用途
10
个人收集整理 勿做商业用途
摘要：随着中国半导体业的发展，300 mm半导体代工厂（foundry）在中国纷纷出现,本讨论介绍了300 mm代工厂厂务化学系统的定义和分类、基本构成、安全设计和品质监控的要点，力图使读者对厂务化学系统有一个整体的了解，针对一些化学供应系统的常见问题和可改进之处，提出了改进建议.
器件制造与应用
CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的结构和特点
宁彦卿，王志华，陈弘毅