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文档介绍:LED亮度提高的方法
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LED亮度提高的方法。txt爱一个人很难,恨一个人更难,,想在爱情里幸福就要舍得伤心!有些烦恼是我们凭空虚构的,而我们却把它当成真实去承受。2005年第46卷第3期 光电技术EI ECTRO—OPTICS TECHNOLOGY Vo1.46 No.3.2005
提高LED亮度的技术途径
吉群
(华东电子集团公司,南京210028)
、薄、短、小的特性,以及封装型式的耐冲击、耐震及特
殊的发光分布,加上特别长的寿命使得发光二极管的确是一种优异的光源选择。提高发光二极管发光效率是当前的重要任
务之一,本文从材料和封装工艺及结构技术等多方面因素来阐述提高LED亮度的途径。
关键词LED GaN 发光效率材料和工艺
1 前言
荧光灯具虽然有目前较高的发光效率、较低的
制造成本等优点,但是因为荧光灯具的灯管中含***,
而用于封装荧光灯具的材料又以可吸收紫外线的玻
璃为主,玻璃易碎的特性加上***废料的不易回收,均

2007年开始禁用这些含***制品,也因此新型照明灯
源的开发已经成为各国政府发展的目标,而LED
(1ight emitting diode),也就是我们平常说的发光二
极管,更是目前各国在照明方面发展的重点。
发光二极管有一个很大的特点,就是具备低电
流、低电压驱动的特性,而这样的特性在世界能源缺
乏及各国针对绿色环保观念的提高同时,尤其吸引
大家的注意。目前各国政府除了致力于新型能源的
开发外,对现有电器设备效率的提高及环保的研究

时.目前普及率约80%的家电用品耗电量也逐渐受
,如何使得发光二极管具
有荧光灯那样的高发光效率(66—100lm/w)去替代
荧光灯和传统使用的60W 白炽灯泡具有特别重要
的意义.
随着近年来对发光二极管的材料、工艺和结构
技术的深入研究,明确了提高LED效率的途径:
发光二极管的发光效率一般称为组件的外部量
子效率(external quantum efficiency),其为组件的内
部量子效率(internal quantum efficiency)及组件的
取出效率(extraction efficiency)
的内部量子效率其实就是组件本身的电光转换效
率,主要与组件本身的特性如组件材料的能带、缺
陷、杂质及组件的异质外延晶体组成及结构等相关.
而组件的取出效率指的则是组件内部产生的光子,
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在经过组件本身的吸收、折射、反射后实际上在组件
外都可测量到的光子数目。因此相关于取出效率的
因素包括了组件材料本身的吸收、组件的几何结构、
组件及封禁材料的折射率差、组件结构的散射特性
等。而上述两种效率的乘积,就是整个组件的发光
效果,也就是组件的外部量子效率。早期组件发展
集中在提高其内部量子效率,方法主要是利用提高
异质外延晶体的品质及改变异质外延晶体的结构,
使电能不易转换成热能,进而间接提高LED的发光
效率,此法可获得约70%左右的理论内部量子效
率。但是这样的内部量子效率几乎已经接近理论的
极限,在这样的状况下,光靠提高组件的内部量子效
率是不可能提高组件的总光通量,也就是外部量子
效率达到目前的2—3倍,因此提高组件的取出效率
便成为重要的课题。
2 材料技术
2.1 材料晶格匹配
对于半导体发光二极管而言,晶格的匹配是一
个重大的课题,因为对于大部分Ⅲ一V族