N阱CMOS工艺流程.ppt

文档介绍：N阱CMOS工艺
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① 初始材料
CMOS集成电路通常制造在尽可能重掺杂硼的P型（100）衬底上以减小衬底电阻 ,防止闩锁效应。
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② 外延生长
CMOS工艺的第一步是在衬底上生长一层轻掺杂的P型外延层，比标准双极工艺采用的外延层薄很多。理论上CMOS工艺不需要外延层，因为MOS管可以直接在P型衬底上形成。外延工艺增加了成本，但是采用P+衬底可以提高抗闩锁效应的能力。
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③ N阱扩散
使用N阱掩模版对甩在氧化层上的光刻胶进行光刻。
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③ N阱注入
光刻1，刻N阱掩膜版
氧化层
P-SUB
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曝 光
光刻1，刻N阱掩膜版
光刻胶
掩膜版
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氧化层的刻蚀
光刻1，刻N阱掩膜版
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N阱注入
光刻1，刻N阱掩膜版
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形成N阱
N阱
P-SUB
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④ 场区LOCOS （局部氧化）
基本CMOS工艺采用LOCOS技术选择性地生长厚氧化层，只在形成源器件的区域留下薄的缓冲氧化层。芯片上的局部氧化区域称为场区，而被保护未形成氧化层的区域称为有源区。LOCOS工艺首先在整个晶圆上淀积一层氮化硅，然后用反型槽掩模版光刻氮化硅，最后采用选择性可是除去场区上的氮化层。
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