文档介绍：2009 年第31 卷电气传动自动化 ,
第 6 期第27 页 ELECTRIC DRIVE AUTOMATION 2009,31(6):27~31
文章编号:1005—7277(2009)06—0027—05
逆变器用 IGBT 吸收电路的 Matlab 仿真研究
张全柱,黄成玉,邓永红
(华北科技学院信息与控制技术研究所,北京 101601)
摘要:IGBT 的开关速度很高,关断时一般会产生过电压,实际电路中通常都会在 IGBT 旁加吸收电路(缓冲
电路)。针对其中五种吸收电路的特点、适用范围进行了描述和比较,并利用 Matlab 软件对 IGBT(两种第五
代 IGBT 模块)的吸收电路进行了仿真,并给出了试验波形和优化的吸收电路参数选择。
关键词:IGBT 过电压;吸收电路;仿真;参数选择
中图分类号: TM464 文献标识码: B
Matlab simulation and research for the IGBT absorbing circuits of inverter
ZHANG Quan-zhu, HUANG Cheng-yu, DENG Yong-hong
(North China Institute of Science and Technology,Information and Control Technology
Research Institute, Beijing 101601,China)
Absract: The high switching speed of IGBT′ s may produce over voltage across the devices. In such cases,
snubbers are often adopted in practical circuits to protect the devices. The characteristics and applicability of five
different snubbers are described pared, then simulated with Matlab, and finally the related waveforms and
optimal parameters are also given.
Key words: IGBT over voltage; snubber; simulation; optimal parameters
1 引言趋向关断,其反向恢复过程使这个电流继续减小
到负的最大值,在这个电流再次快速恢复到的
绝缘栅双极型晶体管( 0
IGBT Insulated Gate 过程中,会产生可观的,进而会在母线寄生电
) 作为兼有和电力晶体 di/dt
Bipolar Transistor MOSFET 感上感应出的电压阻止该电流的减
管的新型复合型器件,是一种输入阻抗高,驱动功 VS =LB·di/dt
小,这个电压和直流电压叠加起来,对的
率小,开关速度高的电压控制型器件,在电力电子 VS IGBT
耐压能力形成威胁
领域中得到越来越广泛的应用。但由于 IG