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模拟电子技术根底****题与解答
。〔1〕利用硅二极管恒压降模型求电路的ID和 Vo的值；〔2〕在室温〔300K〕的情况下，利用二极管的小信号模型求vo的变化范围。
解〔1〕求二极管的电流和电压
〔2〕求vo的变化范围
，温度 T＝300 K。
当rd1=rd2=rd时，那么
的变化范围为，～。
，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压VAO。设二极管是理想的。
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解 图a：将D断开，以O点为电位参考点，D的阳极电位为－6 V，阴极电位为－12 V，故 D处于正向偏置而导通，VAO=–6 V。
图b：D的阳极电位为－15V，阴极电位为－12V，D对被反向偏置而截止，VAO＝－12V。
图c：对D1有阳极电位为 0V，阴极电位为－12 V，故D1导通，此后使D2的阴极电位为 0V，而其阳极为－15 V，故D2反偏截止，VAO=0 V。
图d：对D1有阳极电位为12 V，阴极电位为0 V，对D2有阳极电位为12 V，阴极电位为
－6V．故D2更易导通，此后使VA＝－6V；D1反偏而截止，故VAO＝－6V。
试判断图题 ，为什么？
解 图a：将D断开，以“地〞为电位参考点，这时有
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