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文档介绍

文档介绍:2007全国博士生学术论坛陕西西安西安电子科技大学 2007 Doctoral Forum ofChina Shaanxi Xi’an Xidian University 2007年9月 一种基于支持向量枧的FET非线性建模方法徐跃杭,国云川,徐锐敏,延波,夏雷∞沸电子科技大学电子工程学院微波工程系,四川成都61(X)54) 摘要:提出了一种基于支持向量机(SVM)的FET非线性等效电路建模方法。本征元I件模型建立采用 Taylor级教展开式,其系数直接由各元件的支持向量回归(svR)模型预测结果得出,具有较好物理意义。利用该方法建立了SiCMESFET非线性模型,计g-4er至4的S参数和谐波特法与经验模型非常吻合。关键词:MEsFET, 非线性建模,磁化硅(Sic),支持向量机(SVM) 中图分类号::A 文章编号:1001-2400(20(O)S14)3464)4 AnSupport VectorRegression Based NonlinearModeling Method XuYue-hang,Guo Yun··chua%XuRui-—min,Yon BoandXia Lei (SchoolofElectricalEngineering,Universityofl丑ectamicScidlceandTechnologyofChina(I】Eslq,Chengau, 610054,a}l兆) AbsWa髓Ana再砒for themicrowave devicemodehDg位曲雌based Ona∞m螂on the conventional equivalent model andsupport vectormaelⅢne(SVM)region presen矧in髓s paper The n。】mi呦cir嘶t elementsale,evresen锄by Taylor exponsio叫s,coetficients ofwhichⅢe 口ecb鼬ed by support vector regression(SVR) of aSiCMF_SFEr nonlinear model ,爱魁a珥蒯modelandSVRbasedmodelresultsisachieved. Key Words:metalepilaxial-semiconductor wansistor唧FED,nonlinear modeling,Silicon Carbide (sic),supportvectormachine(SVM) 近年来,继Si和GaAs之后,宽带隙半导体材料SiC以其高击穿电压,高热导率和商饱和电子迁移率, 在高温、高功率微波器件的应用中倍受青睐Ⅲ。由于有源器件的非线性建模对器件制造工艺的改进和微波电路设计有着重要指导作用,因此SiCMESFET器件在无线通信领域的快速发展对SiCMESFET器件的非线性模型建立提出了更高要求。一般来说,有源器件的模型可以分为物理模型和经验模型两类。经验模型又可分为表达多制(也称等效电路模型)和表格模型。与物理模型相比,经验模型具有模型简单、准确度较高、计算速度快和适合CAD 应用等优点,广泛