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cmos制造工艺及流程good.ppt

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cmos制造工艺及流程good.ppt

上传人:1557281760 2021/10/20 文件大小:3.29 MB

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cmos制造工艺及流程good.ppt

文档介绍

文档介绍:CMOS制造工艺及流程Good
第一页,共75页。
Part 1: process flow introduce
一,衬底材料的准备
二,阱的形成
三,隔离技术
四,栅的完成
五,源漏的制备
六,孔
七,金属1布线
八,平坦化工艺
九,VIA及金属2
十,钝化工艺
*
第二页,共75页。
一,衬底材料的准备〔1〕
1,根据设备选择硅片规格:直径6英寸〔150mm〕,厚度为675±20um。
2,根据具体工艺选择硅片的掺杂类型和电阻率: N型〔电阻率4-7Ω 〕、P 型〔电阻率15-25 Ω 〕。
3,从电路和器件考虑是否选用外延片和双面抛光片。
*
第三页,共75页。
衬底材料的准备〔2〕
硅片的晶向:MOS器件只选<100>,该晶向Si界面态密度最小,载流子具有较高的迁移率。
<111>晶向界面态密度最高,张力最大。
*
第四页,共75页。
二,阱的形成〔用途〕
阱〔Well or called Tub〕的形成.
阱的作用是在一种掺杂类型的衬底上〔N或P〕可以制作两种器件(CMOS)。
根据原始衬底和阱的类型,CMOS工艺可以分为:P-well工艺、N-well工艺和Twin-well工艺。
评价阱的关键参数有:阱的结深〔Xj〕和阱电阻〔Rs〕.
*
第五页,共75页。
阱的形成〔原理图〕
*
第六页,共75页。
阱的形成〔工艺流程〕
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第七页,共75页。
First Oxide
Si(P)
SiO2
1700 A
阱的形成〔流程图CROSS SECTION〕
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第八页,共75页。
N-Well AND P-WELL IMP
Si(P)
SiO2
阱的形成〔流程图CROSS SECTION〕
*
第九页,共75页。
阱的形成〔流程图CROSS SECTION〕
Well Driving in
Si(P)
P-Well
SiO2
N-Well
*
第十页,共75页。