文档介绍：硕士学位长春理工大学
茸墨鱼一型≯立月母作者签名：兰堑坚型罦酘作者签名：垄丝墅兰川型釜丝圭竺』印ㄐ虵长春理工大学硕士学位论文原创性声明长春理工大学学位论文版权使用授权书指导导师签名本人郑囊声明：所呈交的硕士学位论文，《垂直腔面发剁半导体激光器中的湿法氧化工艺研究》是本人在指导教师的指导懒⒔醒芯縥作所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本人完全意识剑本声叫的法律结果由本人承担。本学位论文作者及指导教师完全了解“长春理工大学硕士、博士学位论文版权使用规定”，同意长春理工大学保留并向国家有关部门或机构送交学位论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权艮春理工大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，也可采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编学位论文。Ｃ苈畚脑诮饷芎笞袷卮斯娑作者签名：
摘要湿法氧化工艺是近些年来制作垂直腔面发射半导体激光器男鹿ひ眨氪彻ひ障啾染哂泄ひ占虻ァ⒀趸叽缫子诳制并且可以形成强折射率波导限制等特点。本论文从氧化反应的机理出发，根据理论上较为成型的硅氧化理论模型推导出湿法氧化；畑的速率方程。并进行了大量的实验，实验数据表明推导出的速率方程基本适用。同时在本论文中对氧化过程中出现的氧化产物收缩、氧化层开裂、多孔结构等现象的产生原因及其对器件性能的影响进行了讨论，并提出新的工艺方法解决这些问题。在此基础上制作出阈值低、发光效率高的骷关键词：垂直腔面发射半导体激光器湿法氧化收缩开裂多子峁
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第一章引言牟***⒄§垂直腔面发射半导体激光器瓹虺芕，最早由东京技术学院的淌谠晏岢觯最初的想法是想通过缩短腔长的办法提供动态单模的半导体激光器用来提高光通讯的能力。提出后受到了世界各国科学家的关注，但在研究初期由于它的高阈值、低效率和室温下不能连续工作长期受到冷落。直到年热耸迪至薞椅侣龀骞ぷ鳎暧实现了室温的连续振荡。从此晌9獾缙骷闹行囊樘狻綢随后，美国贝尔研究所的甃．等人在中采用了极限厚度的超晶格，用光泵浦实现了室温连续工作。到了年，理论研究表明实现阈值电流为的器件是可能的，贝尔研究所和组成的研究小组研制出阈值电流为的。另外，加利福尼亚大学圣巴巴拉学院的瓵．热瞬捎醚诼裎⑿吞娴结构，在连续波振荡工作状态下实现了的阈值电流。甁．等人采用分子束外延姆椒ㄊ迪至．的阈值电流。年后，的阈值电流达到了亚毫安级且功率达到毫瓦量级。年实现了波长为疘盗械腣椅连续工作，年实现了¨腎／腣氖椅铝工作，同年夏天实现了椅孪铝ど洹晔迪至．的．疘的氖椅铝ぷ鳎煌辏堵坦獾腣已经引起人们的注意。年，日本东京大学和德国维尔兹堡大学的研究人员报道了室温下从光泵怪鼻幻娣⑸浼す馄鞫姓笾谢竦蓝光发射波长谕荒辏５涎枪沂笛槭依梅创ǖ捡合，研究制作了发射ǔさ牧礁銮苛荫詈纤嗔姓蟮腣有同相发射辏グ桶屠又荽笱а芯啃∽檠兄瞥隽说谝桓鍪温运转，输出波长为癿的电抽运，全晶格匹配的***锑化合室温下阙值电流为呶率便兄档缌．。在未来的几年罩，随着宽带隙材料鏕，难芯康纳钊耄琕ɑ岬玫胶艽的发展薄我国在方面的研究也得到了很快的发展。年吉林大学实验区集成光电子联合国家重点实验室与中科院长春物理所联合研制用钨丝掩膜质子轰击与选择腐蚀相结合的新结构笛椋瓻
的高功率器蟆幕窘峁购托阅芴匦射器：一种是介质膜反射器，上层是仍多层结构，下层是结构片，研制了红光迪至耸椅铝ど溷兄档缌魑．，§源反波导区结构等等。但无论哪种结构，实质上其主要结构分为两部分：束，以便汇聚成细光束。圆形模式易于与光纤祸合≯川．实现脉宽为伎毡任猯：的脉宽电流条件下的室温激射，最低阈值电流为，最大输出功率为ど洳ǔの。年，他们又利用钨丝掩膜质子轰击工艺制造出一种室温条件下可连续工作的可见光ど洳ǔの醋霸谌瘸辽鲜绷ぷ髯畲输出功率为ｃ兄档．．年中科院半导体所集成光电子国家重点实验室，林世鸣研究员率领的实验小组，使用自己生长的波长为，为当时此类激光器的最低报道值。年以后中科院长春光机所在这方面的研究取得了重大突破，制作出了单管发光功率达幕窘峁泻芏嘀纸峁梗缃鹗艟得娼峁埂⒎植疾祭穹瓷淦结构、介质镜面结构、空气柱折射率导引结构、离子注入导引结构、无有源区和反射镜区。结构的中心是有源区，它有体异质结和量子阱两种结构；其侧向结构有增益导引和环形掩埋异质结之分。有源区上下是反／／／结构；另一种是半导体多量子阱的分布布拉格反射器虺艱７直鹪诔牡缀蚉型制成一个圆形光输出窗口．可采用顶端或底端输出，输出近圆形的激光下面主要介绍本论文要涉及的氧化物限制型峁如图所示渲醒趸拗撇闾峁┒怨獬『驮亓髯拥脑际梢允迪趾艿偷闽值电流。器件中心是由隽孔于遄槌傻挠性辞置于纵向驻波场的峰值最大处谟性床愕纳戏胶拖路接闪街终凵渎什钜旖洗