硅太阳能电池扩散工序相关知识.ppt

文档介绍：硅太阳能电池扩散工序相关知识
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目录
半导体
PN结
扩散
电池效率的损失
扩散与栅线设计
扩散与烧结
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在绝对温度T=0K时，所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中，不会成为自由电子，因此本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。
半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。
本征半导体：完全纯净的、结构完整、不含缺陷的半导体晶体。
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本征半导体

束缚电子
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这一现象称为本征激发，也称热激发。
自由电子
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空穴
当温度升高或受到光的照射时，束缚电子能量增高，有的电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为空穴。
本征半导体

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杂质元素：磷，***
多子：电子
少子：空穴
P：施主杂质
(提供电子)
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多数载流子
少数载流子
正离子

在本征Si和Ge中掺入微量五价元素后形成的杂质半导体。

非本征半导体
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P+5
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非本征半导体

在本征Si和Ge中掺入微量三价元素后形成的杂质半导体。
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负离子
多数载流子
少数载流子
杂质元素：硼，铟
多子：空穴
少子：电子
P：受主杂质
(提供空穴)
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B+3
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结的种类
同质结：相同材料形成的结(如不同参杂的硅片)
异质结：不同材料形成的结
半导体异质结(两种半导体材料之间组成的结)
半导体-非半导体异质结(肖特基势垒结、MOS、MIS)
结
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多数载流子的扩散运动
建立内电场
P区
N区

少数载流子的漂移运动
多子扩散
空间电荷区加宽内电场EIN增强
少子漂移
促使
阻止
空间电荷区变窄内电场EIN削弱
PN结的形成