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肖特基接触
本篇模拟了由沉积在硅晶片上的钨触点制成的理想肖特基势垒二极管的行为。将从正向偏压下的模型获得的所得J-V（电流密度与施加电压）曲线与文献中发现的实验测量进行比较
介绍
当金属与半导体接触时，在接触处形成势垒。这主要是金属和半导体之间功函数差异的结果。
在该模型中，理想的肖特基接触用于对简单的肖特基势垒二极管的行为进行建模。使用“理想”这个词意味着在这里，表面状态，图像力降低，隧道和扩散效在界面处计算半导体与金属之间传输的电流应被忽略。
注意，理想的肖特基接触的特征在于热离子电流，其主要取决于施加的金属 - 半导体接触的偏压和势垒高度。这些接触通常发生在室温下掺杂浓度小于1×1016 cm-3的非简并半导体中。
模型定义
该模型模拟钨 - 半导体肖特基势垒二极管的行为。 图1显示了建模设备的几何形状。 它由n个掺杂的硅晶片（Nd = 1E16cm-3）组成，其上沉积有钨触点。 该模型计算在正向偏压（）下获得的电流密度，并将所得到的J-V曲线与参考文献中给出的实验测量进行比较。 该模型使用默认的硅材料属性以及  一个理想的势垒高度由下列因素定义：
ΦB=Φm-χ0 （1）
其中ΦB是势垒高度，Φm是金属功函数，χ0是半导体的电子亲和力。 选择钨触点的功函数为
Φm = 4,72V （2）
其中势垒高度为ΦB= 。
结果与讨论
图2显示了使用我们的模型（实线）在正向偏压下获得的电流密度，并将其与参考文献中给出的实验测量进行比较ref. 1（圆）。
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建模说明
从文件菜单中，选择新建NEW。
N E W
1在“新建”窗口中，单击“模型向导”。
MODEL WIZARD
1 在模型向导窗口，选择2D轴对称
22在选择物理树中，选择半导体>半导体（semi）。
3单击添加。
4点击研究。
5在“选择”树中，选择“预设研究”>“稳态”。
6单击完成。
D E F I N I T I O N S
参数
1在“模型”工具栏上，单击“参数”。
2在“参数”的“设置”窗口中，找到“参数”部分。
3在表格中，输入以下设置：
选择um做长度单位
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G E O M E T R Y 1
1在“模型构建器”窗口中的“组件1”（comp1）下单击“几何1”。
2在“几何”的“设置”窗口中，找到“单位”部分。
3从长度单位列表中，选择μm。
矩形1（r1）
1在“几何”工具栏上，单击“基元”，然后选择“矩形”。
2在“矩形”的“设置”窗口中，找到“大小”部分。
3在宽度文本字段中，键入w。
4在“高度”文本字段中，键