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KC-2型可控硅测试仪
一、概述
KC-2型可控硅测试仪（又名：全系列塑封可控硅、可控硅光耦测试仪），是2005 年最新研究设计成功的一种新颖的数字显示式多功能半自动可控硅和可控硅光电耦合器参数测试装置。它可以测量小至TO-92封装大至T0P-3封装的各种电流等级的塑封单、双向可控硅（晶闸管）：可以测量DIP-6、DIP-4封装的过零和非过零检测可控硅输出的光电耦合器和DIP-6封装的单向可控硅输出的光电耦合器；可以测暈200A以下的螺锥型单、双向可控硅和可控硅组合模块。仪器可以准确的自动测量显示可控硅的触发电流IGT、触发电压VGT,可控硅光耦的触发电流IFT触发电压VFT,可控硅和可控硅光耦的正反向断态不重复峰值电压VDSM/VRSM和正反向断态重复峰值电压VDRM/ VRRM的可控硅主要参数。该仪器主要用于可控硅使用厂家对可控硅元件的质嚴检验、参数的配对、可控硅设备的维修之用。仪器还可以广泛的应用于对多种电子元器件的高低压耐压的测试。仪器外型美观、性能稳定、测量准确、使用安全方便。
二、主要技术性能
1、可控硅触发电流IGT测量范围：
10uA —1000uA , 0 — , 0 — 精度：W3%。
2、可控硅触发电压VGT测量范围：0—10V, 精度：W5%。
3、可控硅光耦触发电流I FT测量范围：0—,精度：W3%。
4、可控硅光耦触发电压VFT测量范围：0 —3V 精度：W5%。
5、可控硅和可控硅光耦，正反向不重复峰值电压VDSM/VRSM测量范围: 0 —2KV 精度：W3%。
6、可控硅和可控硅光耦，正反向重复峰值电压VDRM/VRRM测量范围： 0— 精度：W5%。
7、工作电源电压：AC220V, 50HZ, 功率：W 30W。
8、工作环境：0 — 35° C, 相对湿度：＞85%。
9、外形尺寸：280 X 230 X 130mm。
10、重量：约3 Kg。
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三、主要测试功能
1、全系列单双向塑封可控硅触发电流IGT、触发电压VGT的测试，正反向不重复峰值电压VDSM / VRSM的测试，正反向重复峰值电压VDRM / VRRM的测试。
2、 DIP-6、DIP-4封装的过零和非过零检测可控硅光耦和DIP-6封装的单向可控硅输出的光耦IFT / VFT的测试，可控硅光耦正反向不重复峰值电压VDSM / VRSM 的测试，正反向重复峰值电压VDRM/VRRM的测试。
3、电流在200A以内，VDSM / VRSM在2KV以内，触发电流在120mA以内的螺锥型单、双向可控硅和可控硅组合模块的触发电压IGT、触发电流VGT的测试，正反向不重复峰值电ffiVDSM / VRSM的测试，正反向重复峰值电压VDRM / VRRM的测试。
4、 2KV以内的各类二极管、三极管、达林顿管、整流桥、MOS场效应管、IGBT 及各种模块的耐压测试。
5、 2KV以内的压敏电阻、稳压管、双向触发二极管等电压值的测试。
四、本仪器所使用的参数符号说明：
1> IGT：可控硅触发电流。
2、 VGT：可控硅触发电压。
3、 IFT：可控硅光耦触发电流。
4、 VFT：可控硅光耦触发电压。
5、 Vsm：可控硅和可控硅光耦，正反向不重复峰值电压VDSM和VRSM的缩写。
6、 Vrm：可控硅和可控硅光耦，正反向可重复峰值电压VDRM和VRRM的缩写。
7、 ID/IR：测量可控硅和可控硅光耦耐压参数时的正反向电流，根据不同可控硅的电流等级本仪器有A、B、C三挡可选择。（附表1）
8、 RL：测量可控硅和可控硅光耦的触发电流时，可控硅阳极负载电阻根据不同可控硅的电流等级本仪器有A、B、C三挡可选择。（附表1）
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五、测试盒说明：
1、测试盒主要是用来测试塑封可控硅和DIP封装的可控硅光耦之用。
2、可控硅测试座分A、B、C、D四组。其中A组的1、2、3可以用来测试TO・ 92封装的小可控硅，1、3、2 （跳过2）可以用来测试TOP・3等封装的大可控硅，
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如：BTA41等；B组专门用于测试TO・92封装的可控硅，如：MCR100・6、MAC97A6 等；