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LED生产流程
LED芯片的制造工艺流程
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要仃蓝宝石和、S1C、S1） 上，气态物质IiiGaAlP U控制的输送到衬底农面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片 生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。
MOC'R介绍：
佥属有机物化学气相淀积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,简称
MOCVD） , 1968年由羌国洛克威尔公司提出來的-项制备化介物半导体单品薄膜的新技 术。该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科 为-体，是-种门动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主耍用 f-GaN （氮化稼）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造， 也是光电子行业最仃发展前途的专用设备
LED芯片的制造工艺流程：
外延片一►淸洗一＞ 镀透明电极层一＞ 透明电极图形光刻T腐蚀_＞去胶t平台图形光刻_＞干 法刻蚀T去胶T退火TSIO2沉积T窗I I图形光刻TS1O2腐蚀一＞ 左胶tN极图形光刻T预淸 洗T镀膜T剥离T退火TP极图形光刻T镀膜T剥离T研磨T切割T芯片T成品测试。
其实外延片的生产制作过程是罪常复杂的，在展完外延片后，F」步就开始对LED外 延片做电极（P极，N极），接着就开始用激光机切割LED外延片（以前切割LED外延片 主要用钻石刀），制造成芯片后，在品圆上的不同位2!抽取九个点做参数测试，如图所
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1、 主要对电压、波长、亮度进行测试，能符介正常出货标准参数的晶圆片再继续做卜- 一步的操作，如果这九点测试不符介相关要求的晶圆片，就放在一边另外处理。
2、 晶圆切割成芯片后，100%的目检（WVC）,操作者要使用放人30倍数的显微镜 F进行目测。
3、 接着使用全口动分类机根据不同的电压，波长，亮度的预测参数对芯片进行全口动 化挑选、测试和分类。
4、 蚁后对LED芯片进行检查（VC）和贴标签。芯片区域耍在蓝膜的屮心，蓝膜上垠 多有5000粒芯片,但必须保证每张蓝膜上芯片的数量不得少J" 1000 ，芯片类型、批 号、数;tt和光电测彊统计数据记录在标签上，附在蜡光纸的背面。蓝膜上的芯片将做址后 的I」检测试与第 次目检标准相同，确保芯片排列整齐和质彊合格。这样就制成LED芯片
（目前市场上统称方片）O
在LED芯片制作过程中，把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片，分捡出來，这些就 是后面的散晶，此时在蓝膜上令一些不符合止常出货耍求的晶片，也就口然成了边片或毛 片等。
刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，对J•不符合相关要求的晶圆片 作另外处理，这些殆関片是不能苴接用來做LED方片，也就不做任何分检了，苴接卖给客 户了，也就是目前市场上的LED大圆片（但是大関片里也有好东西,如方片）。
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Sputter （E辞典中意思为：（植物）溅散。此之所谓溅镀乃指物体以离子撞击 时，被溅射E散出。因被溅射飞散的物体附著于冃标某板上而制成薄膜。任H 光灯的插座附近常见的变黑现象，即为身边最赏见之例，此乃因II光灯的电极 被溅射出而附著于周I制所形成。溅镀现象，H 19世纪被发现以來，就不受欢 迎，特别在放电管领域中尤当防止。近年來被引用丁•薄膜制作技术效效佳，将 成为可用之物。
薄膜制作的应用研究，当初主要为Bell Electric公司,F
1963年制成全氏10m左右的连续溅镀装置。1966年由IBM公司发表尚周波溅镀
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技术，使得绝缘物之薄膜亦可制作。后经种种研究至今已达“不管基板的材料 为何，皆可被覆盖任何材质之薄膜”目的境地。
而若耍制作一薄膜，至少需耍有装置薄膜的棊板及保持真空状况的道貝（内部 机构）。这种道具即为制作一空间，并使用貞•空泵将其内气体抽出的必耍。
一、真空简介：
所谓真空，依JIS （口本工业标准）定义如下：较大气压力低的压力气体充满 的特定的空间状态。真空区域大致划分及分子运动如下：
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