文档介绍：半导体器件物理重要知识点
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第二章 PN结二极管
掌握下列名词、术语和基本概念：PN结、突变结、线性缓变结、单边突变结、空间电荷区、耗尽近似、中性区、内建电场、内建电势差、势垒、正向注入、反向抽取、扩散近似。
分别采用费米能级和载流子漂移与扩散的观点解释PN结空间电荷区（SCR)的形成。
正确画出热平衡和加偏压PN结的能带图。
利用中性区电中性条件导出空间电荷区内建电势差公式。
了解Poisson方程求解单边突变结结SCR内建电场、内建电势、内建电势差和耗尽层宽度。
掌握反偏压下突变结，耗尽层宽度公式。
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了解理想PN结基本假设及其意义。
导出长PN结和短PN结少子分布表达式。
掌握Shockley公式。
解释理想PN结反向电流的来源。
画出正、反偏压下PN结少子分布、电流分布和总电流示意图。
理解并掌握概念：正偏复合电流、反偏产生电流。
理解低偏压下复合电流占优，随着电压增加扩散电流越来越成为主要成分。
第二章 PN结二极管
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了解产生隧道电流的条件。
画出能带图解释隧道二极管的I－V特性。
了解隧道二极管的特点和局限性。
掌握概念：耗尽层电容、求杂质分布、变容二极管。
掌握C－V关系及其应用。
概念：交流导纳 扩散电导 扩散电阻 扩散电容 等效电路
了解二极管的开关特性。
掌握二极管的击穿机制。
第二章 PN结二极管
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第三章 双极结性晶体管
了解晶体管的基本结构及其制作工艺。
掌握四个概念：注射效率、基区输运因子、共基极电流增益、共发射极电流增益
了解典型BJT的基本结构和工艺过程。
掌握BJT的四种工作模式。
画出BJT电流分量示意图，写出各极电流及其相互关系公式。
分别用能带图和载流子输运的观点解释BJT的放大作用。
解释理想BJT共基极连接和共发射极连接的输出特性曲线。
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理解理想双极结型晶体管的基本假设及其意义。
写出发射区、基区、集电区少子满足的扩散方程并解之求出少子分布。
掌握正向有源模式基区输运因子公式。
掌握正向有源模式基区电子电流公式。
了解E－M方程中四个参数的物理意义
根据E－M方程写出四种模式下发射极电流和集电极电流表达式。
理解并记忆BJT四种工作模式下的少子分布边界条件
画出BJT四种工作模式下少子分布示意图。
了解缓变基区晶体管基区输运因子的计算。
理解电流集聚效应和基区宽度调变效应。
第三章 双极结性晶体管
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掌握概念：频率响应、共基极截止频率、共发射极截止频率、特征频率（带宽）、基区渡越时间
导出基区渡越时间公式。
解释科尔克效应。
了解晶体管的开关特性。
熟悉晶体管穿通机制。
第三章 双极结性晶体管
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第四章 金属半导体结
了解金属—半导体接触出现两个最重要的效应
画出热平衡情况下的肖特基势垒能带图。
掌握肖特基势垒、内建电势差和空间电荷区宽度计算公式 。
画出加偏压的的肖特基势垒能带图，解释肖特基势垒二极管的整流特性。
理解界面态和镜像力对肖特基势垒高度的影响。
掌握概念：表面势、热电子、热载流子二极管、里查森常数、有效里查森常数。
导出半导体表面载流子浓度表达式。
导出电流－电压特性〔李查德－杜师曼方程〕。
了解MIS肖特基二极管工作原理。
掌握结型二极管相比肖特基势垒二极管的主要特点。
了解肖特基势垒二极管的主要应用。
掌握欧姆接触概念和形成欧姆接触的条件。
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第五章 结型场效应晶体管与MS场效应晶体管
画出JFET的基本结构示意图 。
熟悉JFET的基本工作原理。
熟悉沟道夹断、漏电流饱和、夹断电压等概念。
掌握理想JFET的基本假设及其意义。
导出夹断前JFET的I－V特性方程。
深入理解沟道夹断和夹断电压的含义。
掌握线性区条件和I－V特性。
掌握饱和区条件和I－V特性。
掌握沟道长度调制效应。
掌握GaAs MESFET的突出特点。
掌握JFET和MESFET的主要类型。
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了解理想MOS结构基本假设及其意义。
根据电磁场边界条件导出空间电荷与电场的关系。
掌握载流子积累、耗尽和反型和强反型的概念。
正确画出流子积累、耗尽和反型和强反型四种情况的能带图。
导出反型和强反型条件。
掌握理想MOS系统的电容—电压特性。
导出耗尽层宽度和归一化MOS电容表达式。
掌握沟道电导公式。
掌握阈值电压公式。
了解在二氧化硅、二氧化硅－硅界面系统存在的电荷及其主要性质。
掌握实际阈值电压的公式及各项的意义。
导出萨支唐方程。
理解夹断条件的物理意义。
第六章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管
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