磁光存储介质.doc

文档介绍：(10)申请公布号CN1682300A
(43)申请公布日2005. 10. 12
(19 )中华人民共和国国彖知识产权局
(12 )发明专利申请
(10)申请公布号CN1682300A
(43)申请公布日2005. 10. 12
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(43)申请公布日2005. 10. 12
(21)申请号
(22 )申请日
申请人皇家飞利浦电子股份有限公司
地址荷兰艾恩德霍芬
发明人G N・菲利普
(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司
代理人邹光新
(51)
G11B11/105;
(10)申请公布号CN1682300A
(43)申请公布日2005. 10. 12
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权利要求说明书说明书幅图
(10)申请公布号CN1682300A
(43)申请公布日2005. 10. 12
(10)申请公布号CN1682300A
(43)申请公布日2005. 10. 12
(54 )发明名称
磁光存储介质
(57 )摘要
本发明涉及•种磁光存储介质(200),特
别涉及畴膨胀存储介质。该介质(200)包括用于长 期存储信息的磁存储层(107),以及磁性耦合到该 层的磁性再现或读出层(111)，其中在读出期间可 以产生增强的磁畴。磁性层(107. 111)被非金属 的或金属的、非磁性的或磁性的层(109)分隔开， 并且至少•层金属层(201、203)(例如耙或钳)与 磁性再现层(111)相邻放置。该金属层
(10)申请公布号CN1682300A
(43)申请公布日2005. 10. 12
(201、203)