文档介绍：半导体光电器件名词解释(精)
半导体光电器件名词解释(精)
1 / 8
半导体光电器件名词解释(精)
:复合时多余的能量以光的形式释放出来
:复合时多余的能量传给晶格 ,加强晶格振动
:束缚在一起的电子 -空穴对 ,把能量重新释放出来时 ,就可能形成发光
过程。
:是一种非辐射过程 ,每当有电子跃迁发生时 ,必定有一定的能量传递给晶格 ,使晶体发生振动 ,产生很多声子。
,所获得的能量 ,仅以热的形式造成晶格振动 ,而放出声
子 ,这样的复合称为俄歇复合 ,
光度效率 (流明效率 :器件的辐射功率转换为光通量的效率。
:单位电功率所输出的光通量
:辐射的光功率与输入的电功率之比
:注入载流子产生的光量子效率
内量子效率 ηi:是与辐射复合的微观过程有关的参数 ,它说明辐射复合究竟在整个过程中占多大的比例。定义为每注入一对电子 —空穴对时通过辐射复合产生的光子数。
外量子效率 :是表示发光二极管总的有效发光效率 ,也就是发光二极管产生的光
子 ,能射出器件体外的比例。每注入一对电子 -空穴对 ,所发出的光子数。 :处于高能级量 E2 的一个原子自发地向低能级 E1 跃迁 ,并发射一个能量为 hν的光子。其中 ,h 为普朗克常数 , ν为光子振荡频率。这种发射叫自发发射 ,所发出的光子叫自发辐射。
:处于高能级 E2 的原子在满足的辐射场作用下 ,跃迁至低能态 E1 并
辐射出一个能量与入射光子完全一样的光子。
受激辐射的反过程就是受激吸收。处于低能态 E1 的一个原子 ,在频率为 ν 的辐射场作用下吸收一个能量为 h ν的光子 ,跃迁至高能级 E2,这种过程称为受激吸收。
,受激辐射和受激吸收几率之间的关系 ,通常称为爱因斯坦关系 : 14.
名义电流密度 :假设材料中不存在无辐射复合过程 ,也不存在激射过程 ,这样总的自发
发射率即为单位体积、单位时间复合载流子对数。当外部电路中流动的电流为 I,则
相应的电子数 (I/q,在量子效率为 1 时 ,有一个电子就发射一个光子 ,因而厚度为 d 面积为 a 的平板发光材料中 ,单位面积单位时间发射的光子数为 I/qad,有源区厚度为 1μ m,量子效率为 1 时的电流密度为名义电流密度。用 Jnom 表示。
激光器有源区厚度为 d,量子效率为 ηi,名义电流密度与实际电流密度的关系是
:有源层内的光与有源层内外的总光强之比。
η i:复合发光的比例 .=有源区单位时间内产生的光子数 /有源区单位时间内注入的电子 -空穴对数
外量子效率 η e:实际上由于体内存在吸收 ,有源区内产生的光子并不能全部射出 ,实验中只能测到从激光器射出的光子数。 =激光器单位时间出射的光子数 /