文档介绍：内存的性能指标
内存的性能指标
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内存的性能指标
（1）CAS(Column Address Strobe) Latency ：列地址选通脉冲延迟时间，即 DDR －RAM 内存接收到一条数据读取指令后要延迟多少个时钟周期才执行该指令。这个参数越小，内存的反应速度越快，可以设置为、、。
2）Row －active delay （tRAS ）：内存行地址选通延迟时间，供选择的数值有 1～15，数值越大越慢。
（3）RAS －to－CAS delay （tRCD ）：从内存行地址转到列地址的延迟时间。即从 DDR －RAM 行地址选通脉冲 (RAS ，
Row Address Strobe) 信号转到列地址选通脉冲信号之间的延迟周期，也是从 1～15 可调节，越大越慢。
（4）Row －precharge delay （tRP）：内存行地址选通脉冲信号
预充电时间。调节在刷新 DDR －RAM 之前，行地址选通脉冲信号预充电所需要的时钟周期，从 1～7 可调，越大越慢。
（5）物理 Bank ：内存与 CPU 之间的数据交换通过主板上的北桥
芯片进行，内存总线的数据位宽等同于 CPU 数据总线的位宽，这个
位宽就称之为物理 Bank （Physical Bank ，简称 P-Bank ）的位宽。以目前主流的 DDR 系统为例，CPU 与内存之间的接口位宽是 64bit ，也就意味着 CPU 在一个周期内会向内存发送或从内存读取 64bit 的
数据，那么这一个 64bit 的数据集合就是一个内存条物理 Bank 。
6）逻辑 Bank ：在芯片的内部，内存的数据是以位（ bit）为单位写入一张大的矩阵中，每个单元我们称为 CELL ，只要指定一个行
Row ），再指定一个列（Column ），就可以准确地定位到某个 CELL ，这就是内存芯片寻址的基本原理。这个阵列我们就称为内存芯片的
BANK ，也称之为逻辑 BANK（Logical BANK ）。由于工艺上的原因，这个阵列不可能做得太大，所以一般内存芯片中都是将内存容量分成
几个阵列来制造，也就是说存在内存芯片中存在多个逻辑 BANK ，随着芯片容量的不断增加，逻辑 BANK 数量也在不断增加，目前从
32MB 到 1GB 的芯片基本都是 4 个，只有早期的 16Mbit 和 32Mbit
的芯片采用的还是 2 个逻辑 BANK 的设计，
（7）位宽和带宽：内存的位宽是指内存在一个时钟周期内所能传送数据的位数，以 bit 为单位，位数越大则瞬间所能传输的数据量越大，这是内存的重要参数之一。内存的带宽是指内存在单位时间内的数据传输速率。
（8）内存频率：是指在默认情况下，内存正常工作时的额定运行频率，以 MHz （兆赫兹）为单位。显存频率与显存时钟周期是相关
的，二者成倒数关系，也就是显存频率＝ 1/显存时钟周期。因为 DDR
RAM 在时钟上升期和下降期都进行数据传输，其一个周期传输两
次数据，相当于 SDRAM 频率的二倍，所以习惯上称呼的 DDR 频率
是其等效频率，在其实