文档介绍：光刻定义光刻是一种图象复印与选择性腐蚀相结合的加工过程, 即先用照相复印的方法把光刻掩模版上的图形精确地复印到涂在待刻蚀材料表面的光刻胶上,接着以这种带图形的光刻胶为腐蚀掩模对材料作选择性腐蚀,使掩模版上的图形最终精确地转移到 SiO2 等薄膜上。 S i RESIST 下地下地 S i RESIST 下地 S i 露光露光下地 S i S i S i S i S i ETCH 注入氧化· CVD · SPT= 下地 RESIST 涂布目合露光(感光) 现象 ETCH 注入 RESIST 剥离 PR 作业工程流程( PR=Photo Resist ) 涂布光刻胶的基本形式: 正胶、负胶正胶在射线上照射下分解—感光的化合物被钝化了,这样暴光的区域能在显影时很容易的洗去。这样在光刻胶上就产生了光刻掩模版的正图象。负胶在射线—通常是 UV —暴光起的聚合以至于暴光后的胶在显影时被去掉了。这样在胶上留下了光刻掩模版的反面影象。注意点:因为光刻胶通常对深紫外线光非常敏感,工艺就需在黄光区域或“金”光区域内进行,直到暴光后的光刻胶被显影以后。涂布正胶涂布的工艺流程脱水 BAKE 作为正胶涂布的前处理,去除硅片表面的水分,抑制自然氧化膜的成长。 HMDS 处理 CLEAN RESIST 涂布 PREBAKE 运用 HMDS 使得硅片表面产生疏水性能,从而提高 RESIST 和下地之间的密着性。为了光刻胶的膜厚能够均匀一致,必须使硅片表面的温度与超净间的温度一样。在硅片表面滴下光刻胶,形成均一的薄膜。调整光刻胶的感度。涂布光刻胶膜厚的形成过程 0 1000 2000 3000 4000 5000 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 ①光刻胶滴下时间②高速回转数③ Edge Rinse & Back Rinse ( sec ) 回转数( rpm ) 加速度通过喷嘴将光刻胶滴下运用高速的回转,去除多余的光刻胶用 THINNER 清洗表面背面露光正胶涂布后目合露光正胶现象 RESIST 下地 Si RESIST 下地 Si FLYEYE LENS CONDENSER LENS RETICLE PROJECTION LENS NA 瞳露光光刻机的基本构造水银灯激光 FLYEYE LENS Integtator senser Reticle blind 反射镜 CONDENSER LENS PROJECTION LENS RETICLE NA 瞳移动镜(干涉计) X· Y STAGE 露光光刻机的结构: 缩小投影光学系统照明系统自动掩模管理系统自动对准自动调平、调焦系统硅片管理系统工作台激光定位、测量系统计算机和控制(硬件) 操作、接口系统(软件) RETICLE 的组成: 保护膜铬或氧化铬石英玻璃露光光刻机的基本性能 1. 解像度分离解像度(限界解像度)是指在最佳的露光时间、 BEST FOCUS 时所产生的最小的寸法值。 K ·λ K :定数( RESIST 等)解像力= λ:波长 N NA : LENS 开口数 2. 焦点深度焦点深度是指在特定条件下、容许聚焦的变动量范围内进行有目的的图形化。 K ·λ焦点深度= -α(μm) NA ( NA )2