文档介绍：氘在钨中的滞留和晶格损伤
在辐照期间对钨中微观结构演化研究表明, 假如氢离子能量低于阈值能量话, 不会观察到什么结果。假如能量更高, 在室温下就会形成位错环和好氢泡。而且伴随辐照温度升高, 位错环出现地方氢流量会增加, 位错环饱和度会减小。在873k以及更高温度时候, 在单晶钨中就只能观察到部分好氢泡, 不过在多晶钨里面, 氢泡和位错环都能够观察到。
SIMS/RGA
%-
在300k温度下, 用12kev （6kev D离子）注入到单晶钨中。离子通量密度是（-）
。
在分析氘滞留量之前先对薄片表层进行电化学抛光, 在抛光前后称量样品重量, 然后估算出被刻蚀深度。
在注入氘离子和电化学抛光以后, 用SIMS和RGA取得氘在近表层浓度。
离子束分析
%, 样品表面与<111>晶面平行。
在300k温度下, 用30kev （10kevD离子）注入, 以后用1MeV 离子轰击产生α离子和质子, 然后得到氘深度分布。
以后用RBS结合离子束沟道技术研究晶格缺点。
氘原子迁移远超出了离子注入区域。
当流量超出一定值时候, 就形成了氘分子, 而且这些氘分子滞留在注入区域。伴随流量增加, 氘分子浓度比氘原子浓度增加要快得多。
N是缺点浓度, σ是缺点去沟道因子（对于不一样类型缺点, σ不一样）
Nσ是单位深度去沟道概率。
依据
=
推测出氘泡去沟道因子与能量无关, 位错去沟道因子与 相关。而且位错浓度随深度增加而升高。
and conclusions
在300k温度下, 用6kevD离子注入单晶钨会造成D原子迁移到离表面几微米区域。而且会以氘分子形式聚集。
最少有两种类型缺点俘获了氘。一个是填满氘分子氘泡, 一个是捕捉氘原子位错。
氘泡在近表面处产生高压是离子非注入区产生位错原因。
谢谢