文档介绍：物 理 学 报   Acta  Phys.  Sin.   Vol. 70, No. 11 (2021)    116801
 
微波退火和快速热退火下钛调制镍与锗锡反应*
刘伟1)2)    平云霞1)†    杨俊1)2)    薛忠营2)    魏星2)
武爱民2)    俞文杰2)    张波2)‡
1) (上海工程技术大学数理与统计学院, 上海 201620)
2) (中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050)
(2020 年12 月14日收到; 2021 年1 月7日收到修改稿)
本文研究了1 nm钛作为插入层的条件下, 镍与锗锡合金在不同退火温度下的固相反应, 比较了微波退
火和快速热退火对镍锗锡化物形成的影响. 研究结果表明: 在微波退火300 ℃、快速热退火350 ℃条件下, 可
以形成连续平整的镍锗锡薄膜. 通过进一步分析镍锗锡薄膜的元素分布, 发现1 nm钛插入层发生“层转移”
现象, 钛在镍与锗锡合金反应后分布在样品的表面, 由“插入层”变为“盖帽层”; 而锡元素因受到金属钛的调
制作用, 主要分布在镍锗锡薄膜/锗锡衬底的界面.
关键词：微波退火, 快速热退火, 锗锡合金, 钛插入层
PACS：, , −, .−d DOI: .20202118
 
Sn原子扩散性质; Nishimura等[10]研究了三种不
Sn GeSn Ni NiGeSn
1   引 言 同组分 的 合金和 反应后的
薄 膜 性 质 ;  Liu等 [11]研 究了 Sn含 量 为 %的
随着超大规模集成电路集成度的快速增加, 晶 GeSn和Ni反应的特性; Wan等[12]研究了Pt插
体管的单元尺寸需要不断的缩小. 当达到纳米节 入层对生成NiGeSn薄膜质量的影响; Khiangte
点以下, 短沟道效应[1]、隧穿效应[2]和亚阈值漏 等[13]研究了Ge/Si(001)衬底上通过分子束外延
电[3]等因素影响了晶体管的性能. 目前硅材