文档介绍：目录
第一章半导体器件基础
第二章放大电路分析基础
第三章放大电路的频率特性分析
第四章场效应管放大电路特性分析
第五章负反馈放大电路
第六章功率放大电路
第七章差动放大电路
第八章运算放大器和电压比较器
第九章正弦波振荡器
第十章直流电源
第一页，共224页。
第一章半导体器件基础
半导体及其特性
PN结及其特性
半导体二极管
半导体三极管及其工作原理
三极管的共射特性曲线及主要参数
第二页，共224页。
半导体及其特性

定义：纯净的半导体经过一定的工艺过程制成单晶体，称为本征半导体。
晶体中的共价键具有很强的结合力，在常温下仅有极少数的价电子受热激发得到足够的能量，挣脱共价键的束缚变成为自由电子。与此同时，在共价键中留下一个空穴。
第三页，共224页。
半导体及其特性
运载电流的粒子称为载流子。在本征半导体中，自由电子和空穴都是载流子，这是半导体导电的特殊性质。
半导体在受热激发下产生自由电子和空穴对的现象称为本征激发。
在一定温度下，本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。
第四页，共224页。
半导体及其特性

定义：掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。
根据掺入杂质元素的不同，可形成N（Negative）型半导体和P（Positive）型半导体。
第五页，共224页。
半导体及其特性
N型半导体：
在本征半导体中掺入少量的五价元素，如磷、***和钨，使每一个五价元素取代一个四价元素在晶体中的位置，形成N型半导体。
由于五价元素很容易贡献出一个电子，称之为施主杂质。
第六页，共224页。
半导体及其特性
在N型半导体中，由于掺入了五价元素，自由电子的浓度大于空穴的浓度。半导体中导电以电子为主，故自由电子为多数流子，简称为多子；空穴为少数载流子，简称为少子。
由于杂质原子可以供电子，故称之为施主原子。
第七页，共224页。
半导体及其特性
P型半导体：
在本征半导体中掺入少量的三价元素，如硼、铝和铟，使之取代一个四价元素在晶体中的位置，形成P型半导体。
由于杂质原子中的空位吸收电子，故称之为受主杂质。
在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。
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PN结及其特性
PN结的原理
采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在一起，使这两种杂质半导体在接触处保持晶格连续，在它们的交界面就形成PN结。
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PN结及其特性
在PN结中，由于P区的空穴浓度远远高于N区，P区的空穴越过交界面向N区移动；同时N区的自由电子浓度也远远高于P区，N区的电子越过交界面向P区移动；在半导体物理中，将这种移动称作扩散运动
空穴
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P区
N区
负离子
正离子
自由电子
图1-4a PN结载流子扩散运动
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