第2章三极管及放大电路.ppt

文档介绍：第2章三极管及放大电路
半导体三极管
三极管的构造
三极管是由两个PN构造成的，其根本特性是具有电流放大作用。三极管按其构造不同分为NPN型和PNP型两种。。
三极管的构造及符号
三极管内部构造分为发射区、基区和集电区，
相应的引出电极分别为发射极e、基极b和集电极c。
发射区和基区之间的PN结称为发射结，集电
区和基区之间的PN结称为集电结。
电路符号中，发射极的箭头方向表示三极管在
正常工作时发射极电流的实际方向。
三极管在制作时，其内部构造特点是：
(1 ) 发射区掺杂浓度高；
(2 ) 基区很薄，且掺杂浓度低；
(3 ) 集电结面积大于发射结面积。
以上特点是三极管实现放大作用的内部条件。
三极管按其所用半导体材料不同，分为硅管和锗管；
按用处不同，分为放大管、开关管和功率管；
按工作频率不同，分为低频管和高频管；
按耗散功率大小不同，分为小功率管和大功率管等。
一般硅管多为NPN型，锗管多为PNP型。
三极管的电流放大作用

三极管实现电流放大的外部偏置条件：发射结正偏，集电结反偏，此时，各电极电位之间的关系是：
NPN型 UC＞UB＞UE
PNP型 UC＜UB＜UE
。
三极管放大的外部偏置条件
。
放大实验电路
电路中的三极管的偏置满足发射结正偏，集电结反偏。
发射结正偏，可使发射区的多子〔自由电子〕通过PN结注入到基区，以形成基极电流IB；
集电结反偏，使集电极电位高于基极电位，于是在集电结上有一个较强的电场，把由发射区注入到基区的自由电子大局部拉到集电区，形成集电极电流IC。
调节Rb，改变IB的大小，得出相应的IC和IE的数据，。